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碳化硅預處理_百度文庫

含碳化硅(gui)廢水(shui)如何處理三(san)、廢水(shui)處理工藝流程說明本設計采用的處理方(fang)法為“混凝(ning)沉淀”工藝,廢水(shui)流入調節(jie)池后,在調節(jie)池內(nei)設有攪拌(ban)裝置,調節(jie)水(shui)質(zhi)、水(shui)量后通過提升泵提升。

含碳化硅廢水如何處理

該廠共有48個水(shui)洗池,根據(ju)廠方提供的資料(liao),碳(tan)化(hua)硅廢(fei)水(shui)水(shui)量(liang)為300噸(dun)/天。廠區排出的廢(fei)水(shui)中含有大量(liang)的碳(tan)化(hua)硅微粉,懸浮物濃度高,難于自(zi)然沉降,需(xu)要經過處理后再排放。

洗碳化硅過程中酸堿水如何處理可以排放_百度知道

碳化(hua)(hua)硅的制(zhi)造由于天然含量甚少,碳化(hua)(hua)硅主要(yao)多(duo)為人(ren)造。簡單的方法是將(jiang)氧化(hua)(hua)硅砂與碳置入艾(ai)(ai)其遜電弧爐中,以(yi)16002500°C高溫加熱。碳化(hua)(hua)硅的發現愛德華?古德里希?艾(ai)(ai)其遜。

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摘(zhai)要:在碳(tan)化硅磨(mo)料化學處理過程中(zhong),采用水處理的有關技術(shu),可以做到提高生產效(xiao)率(lv)12倍,磨(mo)料損失減少(shao)5/6,且(qie)水可循環利用,降低了環境污(wu)染。

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2013年10月(yue)19日-碳(tan)(tan)(tan)化硅(gui)(gui)微(wei)粉具有超強的吸濕能力,因(yin)此在使用(yong)碳(tan)(tan)(tan)化硅(gui)(gui)微(wei)粉時應(ying)該注意保障不要受潮(chao)(chao),那么應(ying)該怎樣處(chu)理碳(tan)(tan)(tan)化硅(gui)(gui)微(wei)粉受潮(chao)(chao)的問題呢(ni)?具體(ti)方法(fa)主要表現在以(yi)下三種:1、不。

碳化硅廢水處理方案-豆丁網

該廠共有(you)48個(ge)水洗池(chi),根據(ju)廠方提(ti)供的(de)資料,碳化硅廢(fei)水水量為300噸/天。廠區排出的(de)廢(fei)水中(zhong)含有(you)大量的(de)碳化硅微粉,懸浮物濃度(du)高(gao),難(nan)于自(zi)然(ran)沉降,需要經過處(chu)理后再排放。

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碳化硅磨料生產中水處理技術的應用探討-《金剛石與磨料磨具工程

提供了一種(zhong)碳化(hua)硅(gui)微(wei)(wei)粉生產裝(zhuang)置(zhi)排(pai)放(fang)的廢(fei)水處(chu)理(li)方法。經(jing)處(chu)理(li)后(hou)的廢(fei)水中(zhong)的懸浮物達到排(pai)放(fang)標準。從(cong)碳化(hua)硅(gui)微(wei)(wei)粉生產裝(zhuang)置(zhi)排(pai)放(fang)的廢(fei)水中(zhong)回收碳化(hua)硅(gui)微(wei)(wei)粉,作為副產品銷售(shou),變廢(fei)為寶。

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2012年10月18日-西(xi)安(an)環科水(shui)(shui)處(chu)理(li)(li)有(you)限(xian)公司通過機電商情(qing)網發(fa)布碳化硅(gui)行業酸洗(xi)廢水(shui)(shui)酸處(chu)理(li)(li)設備價(jia)格及報(bao)價(jia)信息(xi),價(jia)格為:元/套,需要購買者,可以在(zai)線(xian)發(fa)送留言的方式和西(xi)安(an)環科。

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2010年(nian)9月28日-慧聰表面(mian)處理(li)網(wang)“近幾年(nian)僅在太陽能電(dian)池基板的切(qie)割(ge)上用綠碳(tan)化硅(gui)(gui)微粉(fen)(fen)達3-5萬噸/年(nian),電(dian)子行業線切(qie)割(ge)用綠碳(tan)化硅(gui)(gui)微粉(fen)(fen)用量2萬噸/年(nian)左右,研(yan)磨用微粉(fen)(fen)1萬噸/年(nian)。

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[摘要]本發明一種在碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)基(ji)襯底上獲得高(gao)速電學材料(liao)結構(gou)(gou)的方法,包括如下(xia)步(bu)驟(zou):1)取(qu)表(biao)面生長有碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)單晶層的硅(gui)材料(liao)或碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)單晶材料(liao),進行清洗處理,作為高(gao)速器件結構(gou)(gou)。

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采用有(you)機泡沫(mo)(mo)浸(jin)漬法制(zhi)備碳化硅泡沫(mo)(mo)陶瓷(ci)時(shi),通過(guo)對聚氨脂(zhi)泡沫(mo)(mo)進行不同改(gai)性劑的表面處(chu)理(li)來改(gai)善其掛漿性能,利(li)用一種更加合理(li)的表征(zheng)方(fang)法,即測量掛漿后泡沫(mo)(mo)陶瓷(ci)素坯孔筋(jin)。

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新建電鍍廠,主要(yao)是聚乙(yi)二醇廢水需(xu)要(yao)處理,含少量碳(tan)化硅,每天排(pai)污量400噸,cod現在是4000左右,要(yao)求降(jiang)到500以下。排(pai)放(fang)標準:達標排(pai)放(fang)當(dang)前狀態(tai):已解決。

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表面處理對碳化硅泡沫陶瓷掛漿性能的影響

當球(qiu)鐵(tie)中(zhong)硅(gui)(gui)含(han)量過(guo)低(di)時(shi),未經過(guo)碳(tan)化硅(gui)(gui)處(chu)理的(de)一些試樣中(zhong)有較(jiao)多(duo)的(de)碳(tan)化物出(chu)現,而(er)碳(tan)化硅(gui)(gui)處(chu)理的(de)試樣碳(tan)化物含(han)量極少,有更多(duo)的(de)石(shi)墨球(qiu)數(shu)。3.利用碳(tan)化硅(gui)(gui)孕育處(chu)理的(de)球(qiu)鐵(tie)的(de)試塊。

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2012年9月19日-21ic訊(xun)意法半(ban)導體(STMicroelectronics,簡稱ST)發(fa)布碳化硅產品創新(xin)成(cheng)(cheng)果(guo),助力系(xi)統(tong)廠商(shang)研發(fa)能(neng)(neng)(neng)夠(gou)將太(tai)陽能(neng)(neng)(neng)轉化成(cheng)(cheng)電網電能(neng)(neng)(neng)的高能(neng)(neng)(neng)效(xiao)電子設備。意法半(ban)導體已于。

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黑(hei)碳(tan)化硅常(chang)見的(de)事(shi)故及處理方法節(jie)爐膛(tang)結(jie)焦(jiao)事(shi)故爐膛(tang)結(jie)焦(jiao)事(shi)故是(shi)CFB鍋爐常(chang)見的(de)燃燒事(shi)故,無論是(shi)在(zai)鍋爐啟動(dong)階段還(huan)是(shi)在(zai)機組(zu)正常(chang)運(yun)行過(guo)程中,都有(you)發生鍋爐結(jie)焦(jiao)事(shi)故的(de)。

聚乙二醇和碳化硅廢水處理,400噸/天-污水寶

摘要:正反(fan)應燒結碳(tan)(tan)化硅(gui)中(zhong)形(xing)成的次(ci)生碳(tan)(tan)化硅(gui)多以晶(jing)(jing)間等(deng)軸狀球形(xing)顆粒存(cun)在,晶(jing)(jing)間細小(xiao)粒狀SiC的增多在硅(gui)/碳(tan)(tan)化硅(gui)材料中(zhong)形(xing)成較(jiao)多的弱(ruo)硅(gui)-碳(tan)(tan)化硅(gui)界面,使材料總體斷裂能力。

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