碳化硅粉末中雜質元素的測定-《上海金屬.有色分冊》1992年05期
陶瓷材料(liao)等離子(zi)發射光譜法微量(liang)雜(za)質元(yuan)素測定微電子(zi)工業發動機雜(za)質分析高(gao)溫技術聚(ju)變(bian)裝置(zhi)微量(liang)元(yuan)素。
碳化硅微粉中的雜質太多怎么處理_百度知道
如(ru)(ru)碲化(hua)(hua)(hua)鉛(qian)(PbTe)、砷化(hua)(hua)(hua)銦(yin)(InAs)、硫化(hua)(hua)(hua)鉛(qian)(PbS)、碳化(hua)(hua)(hua)硅(SiC)等。與金屬材料(liao)不同,半導(dao)體中雜(za)質含(han)量和外界條件的改變(bian)(如(ru)(ru)溫度變(bian)化(hua)(hua)(hua)、受光(guang)照射等),都會使(shi)半導(dao)體的。
碳化硅_百度百科
怎樣去除碳化硅制(zhi)品中(zhong)的(de)雜(za)質沒有(you)任何一件事物是(shi)(shi)沒有(you)雜(za)質的(de),即(ji)便是(shi)(shi)很多(duo)化學原料或者經(jing)過多(duo)重步驟產生的(de)高科技產品,所(suo)以,目前市(shi)場上出現的(de)碳化硅產品也(ye)有(you)很多(duo)雜(za)質。但是(shi)(shi)。
碳化硅中一般都含有什么雜質?_已解決-阿里巴巴生意經
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怎樣去除碳化硅制品中的雜質-新聞動態-淄博中晶碳素有限公司
本發明涉及一(yi)種應用X射線熒光光譜(pu)法檢(jian)測(ce)碳化(hua)(hua)硅(gui)(gui)雜質含量的方法,其步驟如下:1、制(zhi)備測(ce)試樣(yang)片;2、制(zhi)備標準(zhun)樣(yang)片:①提純(chun)碳化(hua)(hua)硅(gui)(gui)的制(zhi)樣(yang);②碳化(hua)(hua)硅(gui)(gui)提純(chun),制(zhi)備出純(chun)品(pin)碳化(hua)(hua)硅(gui)(gui);③。
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現在的原料(liao)主(zhu)要成分是硅和碳(tan)化硅的混合物,里面(mian)含(han)有少量鐵雜(za)質,怎(zen)樣(yang)除去鐵,請各位(wei)賜教,謝(xie)謝(xie)。
應用X射線熒光光譜法檢測碳化硅雜質含量的方法-查詢下載-中國
2012年12月(yue)28日-碳化(hua)硅晶(jing)體中(zhong)的(de)(de)雜(za)質是:鐵、鋁、鈣、鎂、硅等(deng)的(de)(de)氧(yang)化(hua)物和(he)碳化(hua)物,以及它們的(de)(de)共熔物。這些雜(za)質在冶煉爐熱動力條件下,溫度在2100——2200℃時被蒸發排。
如何去除硅和碳化硅的混合物中的少量鐵雜質-非金屬-小木蟲-
[24]β-碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)因其相(xiang)較α-碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)擁有更高的(de)(de)比表面(mian)積,所以可(ke)用(yong)于非均相(xiang)催化(hua)(hua)劑的(de)(de)負載體。純的(de)(de)碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)是無色(se)的(de)(de),工(gong)業用(yong)碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)由于含有鐵等雜(za)質(zhi)而呈(cheng)現棕色(se)黑色(se)晶體。
介紹有關碳化硅晶體中參雜的雜質|泰州市宏光金剛砂耐磨材料廠
開始時(shi)間:結束時(shi)間:雜(za)質碳(tan)(tan)(tan)加工工藝-催化(hua)劑(ji),二氧化(hua)碳(tan)(tan)(tan),碳(tan)(tan)(tan)化(hua)硅(gui),X射線,生產(chan)碳(tan)(tan)(tan)化(hua)硅(gui)版(ban)的出價/購買記錄Top一(yi)口價:元該物品已下架立即購買。
碳化硅-維基百科,自由的百科全書
導熱率:碳(tan)化硅制(zhi)品的(de)導熱率非(fei)(fei)常(chang)非(fei)(fei)常(chang)高(gao),熱膨脹參數小巧,抗熱震性非(fei)(fei)常(chang)非(fei)(fei)常(chang)高(gao),是優質的(de)耐火材料。3、電學屬(shu)性恒溫下工業碳(tan)化硅是一(yi)種(zhong)半導體,屬(shu)雜質導電性。高(gao)純度。
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碳化硅雜質對石墨加熱棒溫度場的影響數值模擬研究_百度文庫
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舉報文檔(dang)介(jie)紹暫無描述文檔(dang)分類待(dai)分類文檔(dang)格式.pdf文檔(dang)標簽加熱棒碳(tan)化硅石墨雜(za)質(zhi)數值(zhi)溫度評(ping)論評(ping)論的時候,請遵(zun)紀守法(fa)并注意語言文明,多給文檔(dang)。
碳化硅的特性和根本機能
碳化(hua)硅中雜質的(de)(de)形態-碳化(hua)硅中雜質的(de)(de)形態碳化(hua)硅的(de)(de)研發(fa)(fa)成功并很好(hao)的(de)(de)利用是市場(chang)發(fa)(fa)展(zhan)過(guo)程中的(de)(de)一(yi)大進步(bu)點,特別是對于1893年艾奇(qi)遜(xun)的(de)(de)發(fa)(fa)明為引子,由此推出的(de)(de)國內(nei)由趙廣和。
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2011年6月(yue)14日-碳(tan)化(hua)硅在現代工業生(sheng)產中的(de)(de)應(ying)用范圍比較廣泛(fan),比較為(wei)人(ren)們所了解的(de)(de)是應(ying)用于磨料、磨具領域。但是隨(sui)著科(ke)學技術的(de)(de)進步,人(ren)們對碳(tan)化(hua)硅的(de)(de)認識也逐漸深入,由(you)此開發。
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碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)(SiC)是用石英砂、石油(you)焦(或煤焦)、木(mu)屑為原料通過電(dian)阻(zu)爐高溫冶煉而成(cheng)。碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)在大自然(ran)也存在罕見的礦物,莫桑石。碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)又稱<a。
二次離子質譜分析碳化硅中釩雜質含量的研究-碩士論文-道客巴巴
碳(tan)化(hua)硅(gui);物理(li)性(xing)(xing)質(zhi)性(xing)(xing)狀:綠(lv)色(se)藍黑色(se)結晶(jing)性(xing)(xing)粉末.含(han)雜質(zhi)的碳(tan)化(hua)硅(gui)為綠(lv)色(se),固性(xing)(xing)狀:綠(lv)色(se)藍黑色(se)結晶(jing)性(xing)(xing)粉末.含(han)雜質(zhi)的碳(tan)化(hua)硅(gui)為綠(lv)色(se),固溶有炭和金屬氧化(hua)物雜質(zhi)呈黑色(se)。密。
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論文(wen)天下提供的(de)<二次(ci)離(li)子質譜分析碳化硅中釩(fan)雜(za)質含量的(de)研究(jiu);論文(wen)包括碳化硅二次(ci)離(li)子質譜釩(fan)摻(chan)雜(za)定量分析二次(ci)離(li)子質譜分析離(li)子注入樣(yang)品等其(qi)他相關內容論文(wen)。
jinshinaicai-和訊財經微博-碳化硅中雜質的形態-碳化硅中..
2013年4月24日-碳化硅(gui)(gui)俗稱(cheng)金剛石(shi),又稱(cheng)碳硅(gui)(gui)石(shi),主要用(yong)作耐(nai)磨材(cai)料,耐(nai)火材(cai)料,核反應(ying)堆材(cai)料及制(zhi)造(zao)電阻發熱硅(gui)(gui)碳棒(bang)(管(guan)(guan)),半導體元件,C二級管(guan)(guan),晶體管(guan)(guan),電器元件,火箭噴管(guan)(guan)等。
加強生產工藝管理提高碳化硅產品質量——寧夏天凈集團碳化硅
產業領域:新(xin)能(neng)源光(guang)伏需(xu)求類型:技術服(fu)務需(xu)求編號(hao):189-07制(zhi)粉是碳(tan)化硅(gui)微粉生產中(zhong)的重要工序,但由于(yu)碳(tan)化硅(gui)的硬度(du)較高,其(qi)莫氏硬度(du)為9.5級(ji),在莫氏硬度(du)標準中(zhong)僅低于(yu)金剛石(shi)。
碳化硅-搜搜百科
本文(wen)采用(yong)ICP-MS法對高純碳(tan)化硅(gui)粉表(biao)面的Na、Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Cd12種痕量雜質進行測定,用(yong)氫氟酸(suan)溶液浸提試樣(yang)表(biao)面雜質,用(yong)釔做內標補償。
碳化硅|化合物-查字典
一種無TiC雜(za)質(zhi)相的碳化硅鈦陶瓷粉(fen)(fen)體(ti)的合成方(fang)法,其(qi)特征(zheng)在于(yu):(1)以Ti粉(fen)(fen)、Si粉(fen)(fen)和TiC本(ben)發明公開了(le)一種低(di)成本(ben)無TiC雜(za)質(zhi)相的碳化硅鈦陶瓷粉(fen)(fen)體(ti)的常(chang)壓合成方(fang)法,。
二次離子質譜分析碳化硅中釩雜質含量的研究-收費碩士博士論文-
臨沂市金蒙碳(tan)(tan)(tan)化(hua)硅(gui)有限公(gong)司(si)是(shi)一(yi)家擁有國內(nei)先進的碳(tan)(tan)(tan)化(hua)硅(gui)微粉(fen),黑碳(tan)(tan)(tan)化(hua)硅(gui),綠(lv)碳(tan)(tan)(tan)化(hua)硅(gui),綠(lv)碳(tan)(tan)(tan)化(hua)硅(gui)微粉(fen),黑碳(tan)(tan)(tan)化(hua)硅(gui)微粉(fen),碳(tan)(tan)(tan)化(hua)硅(gui)粒(li)度砂,生產線和工藝技術,服(fu)務熱線:400-6291-618。
碳化硅成分及性質_行業新聞_濟源防腐耐磨材料有限公司
2008年5月9日-碳化硅電(dian)力電(dian)子器(qi)(qi)件(jian)研發進(jin)展與存(cun)在問題(ti),1引言借助于(yu)微(wei)電(dian)子技(ji)術的(de)長足(zu)發展,以硅器(qi)(qi)件(jian)為基礎的(de)電(dian)力電(dian)子技(ji)術因大功率(lv)場(chang)效(xiao)應晶(jing)(jing)體管(功率(lv)MOS)和絕緣柵雙(shuang)極晶(jing)(jing)體。
要除去碳化硅中的含鐵的雜質和氧化鋁膠體及游離碳,需要進行酸
1、游離(li)硅。它(ta)一部(bu)分(fen)溶解(jie)于SiC晶體(ti)中(zhong),一部(bu)分(fen)與(yu)其雜(za)質(如鐵、鋁(lv)、鈣等)形成合金而粘附于晶體(ti)上(shang)或嵌在晶體(ti)中(zhong)。2、游離(li)二氧化硅。通常存在于晶體(ti)表面。大都是由于。
請教一下有關碳化硅的一些問題_化學吧_百度貼吧
對(dui)(dui)SiC中基(ji)態施主能級(ji)分裂對(dui)(dui)雜(za)質電離的影響,與溫(wen)度(du)(du)、摻(chan)雜(za)濃度(du)(du)和(he)雜(za)質能級(ji)深度(du)(du)的關系(xi)(xi)進行了系(xi)(xi)統研(yan)究(jiu)。發(fa)現只有在高(gao)溫(wen)且摻(chan)雜(za)濃度(du)(du)低的情況(kuang)下(xia),能級(ji)分裂的影響很小可忽(hu)略不計。
(189-07,新能源光伏,技術服務)碳化硅微粉中鐵雜質清除裝置及方法
氮化(hua)硅結(jie)合(he)(he)碳化(hua)硅材(cai)料反應燒結(jie)時的雜質相行為分(fen)析,郝小勇;-陶瓷工(gong)程1998年第03期在線閱讀、文(wen)章下載(zai)。<正;l前言Si3N4結(jie)合(he)(he)SIC材(cai)料的研究(jiu)近(jin)年來(lai)在國內發展較快(kuai),該。
ICP-MS法測定高純碳化硅粉表面的痕量雜質Determinationoftrace
分(fen)析(xi)了Si3N4結合Si3C材(cai)料反應燒結時(shi)Fe2O3、SiO2、Al2O3、CaO等雜(za)質相的反應行為。氮化(hua)硅結合碳化(hua)硅材(cai)料反應燒結時(shi)的雜(za)質相行為分(fen)析(xi)前言:分(fen)析(xi)了Si3N4結合Si3C材(cai)料。
碳化硅陶瓷工藝流程解析-新聞-九正建材網(中國建材網)
[圖文]目前,國內(nei)使用的切(qie)割(ge)(ge)液(ye)和碳化硅微粉(fen)在線切(qie)割(ge)(ge)過程中,砂漿中不可避免的會(hui)混(hun)入硅粉(fen)、鐵、高(gao)聚物等雜質,部分碳化硅微粉(fen)也會(hui)因切(qie)割(ge)(ge)作(zuo)用而(er)出現破(po)損,產生的廢砂漿很難繼續(xu)。
一種無TiC雜質相的碳化硅鈦陶瓷粉體的合成方法-200710118878-錢眼
氮化硅結合碳化硅材(cai)料(liao)反應燒結時的雜質(zhi)(zhi)相行為分析-分析了Si3N4結合Si3C材(cai)料(liao)反應燒結時Fe2O3、SiO2、Al2O3、CaO等雜質(zhi)(zhi)相的反應行為。
黑碳化硅,綠碳化硅,綠碳化硅微粉,黑碳化硅微粉,碳化硅粒度砂|臨沂
碳化硅(gui)質(zhi)泡(pao)沫陶瓷過濾(lv)(lv)片(pian),去孔(kong),濾(lv)(lv)渣,吸附雜質(zhi)泡(pao)沫陶瓷過濾(lv)(lv)片(pian)簡介泡(pao)沫陶瓷過濾(lv)(lv)器的過濾(lv)(lv)機(ji)理:整(zheng)流作(zuo)用:在澆鑄(zhu)系統中(zhong)放置(zhi)泡(pao)沫陶瓷過濾(lv)(lv)片(pian)后,金屬液流阻力增大,。
碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題
淄博(bo)鑄(zhu)泰碳(tan)(tan)素有(you)限公司(si)碳(tan)(tan)化硅(gui)簡介:碳(tan)(tan)化硅(gui)英文(wen)名稱:siliconcarbide,俗稱金剛砂。純碳(tan)(tan)化硅(gui)是(shi)無色透(tou)明的(de)晶體。工(gong)業碳(tan)(tan)化硅(gui)因(yin)所含雜質的(de)種類和(he)含量不同,而呈(cheng)淺(qian)黃、綠、藍。