碳化硅粉末中雜質元素的測定-《上海金屬.有色分冊》1992年05期
陶瓷材料等離子發射光譜法微量雜質元(yuan)素測定微電子工業發動機雜質分析高溫(wen)技術(shu)聚變裝(zhuang)置微量元(yuan)素。
碳化硅微粉中的雜質太多怎么處理_百度知道
如碲(di)化鉛(qian)(qian)(PbTe)、砷化銦(InAs)、硫化鉛(qian)(qian)(PbS)、碳化硅(gui)(SiC)等。與(yu)金屬材(cai)料不同,半導體中雜質含量(liang)和(he)外界條件(jian)的(de)改(gai)變(bian)(如溫度變(bian)化、受光照射等),都會(hui)使半導體的(de)。
碳化硅_百度百科
怎(zen)樣(yang)去除碳化硅(gui)制品中的雜(za)(za)質(zhi)沒(mei)有任何一(yi)件事(shi)物是沒(mei)有雜(za)(za)質(zhi)的,即(ji)便是很(hen)多(duo)化學原料(liao)或者(zhe)經過多(duo)重步(bu)驟產(chan)生的高科技產(chan)品,所以,目前市場上出現的碳化硅(gui)產(chan)品也有很(hen)多(duo)雜(za)(za)質(zhi)。但是。
碳化硅中一般都含有什么雜質?_已解決-阿里巴巴生意經
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怎樣去除碳化硅制品中的雜質-新聞動態-淄博中晶碳素有限公司
本發明涉及一種應(ying)用X射線熒光(guang)光(guang)譜法檢測(ce)碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)(gui)雜質含量的方法,其步驟如下:1、制備(bei)測(ce)試樣(yang)片(pian);2、制備(bei)標準樣(yang)片(pian):①提純碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)(gui)的制樣(yang);②碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)(gui)提純,制備(bei)出(chu)純品(pin)碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)(gui);③。
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現在(zai)的(de)原料主(zhu)要(yao)成分是硅和碳化(hua)硅的(de)混(hun)合物,里面含有少量(liang)鐵(tie)雜質,怎樣除去鐵(tie),請各位賜(si)教,謝(xie)謝(xie)。
應用X射線熒光光譜法檢測碳化硅雜質含量的方法-查詢下載-中國
2012年12月28日-碳化硅晶體中(zhong)的雜質(zhi)是(shi):鐵、鋁、鈣、鎂、硅等的氧化物(wu)和(he)碳化物(wu),以及它(ta)們(men)的共(gong)熔物(wu)。這(zhe)些雜質(zhi)在冶(ye)煉(lian)爐熱動(dong)力條件下,溫度在2100——2200℃時被(bei)蒸發排。
如何去除硅和碳化硅的混合物中的少量鐵雜質-非金屬-小木蟲-
[24]β-碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)因其相較α-碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)擁有更高的(de)比表面(mian)積,所以可(ke)用于非均相催化(hua)(hua)劑的(de)負載體(ti)(ti)。純的(de)碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)是無色(se)的(de),工(gong)業用碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)由于含有鐵等(deng)雜(za)質而呈(cheng)現棕色(se)黑色(se)晶體(ti)(ti)。
介紹有關碳化硅晶體中參雜的雜質|泰州市宏光金剛砂耐磨材料廠
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碳化硅-維基百科,自由的百科全書
導(dao)(dao)熱率:碳化硅制品的導(dao)(dao)熱率非(fei)常(chang)非(fei)常(chang)高,熱膨(peng)脹參數小巧,抗熱震性非(fei)常(chang)非(fei)常(chang)高,是(shi)優質的耐(nai)火材料(liao)。3、電學(xue)屬性恒(heng)溫下工業(ye)碳化硅是(shi)一種半導(dao)(dao)體,屬雜質導(dao)(dao)電性。高純(chun)度(du)。
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阿里巴(ba)巴(ba)供應(ying)(ying)綠色(se)碳(tan)化硅(gui)雜質(zhi)少(shao)硅(gui)含量98.5河(he)南(nan)SIC碳(tan)化硅(gui)生產基地,研磨(mo)材料,這里云(yun)集(ji)了眾(zhong)多(duo)的供應(ying)(ying)商,采購商,制造商。這是供應(ying)(ying)綠色(se)碳(tan)化硅(gui)雜質(zhi)少(shao)硅(gui)含量98.5河(he)南(nan)。
碳化硅雜質對石墨加熱棒溫度場的影響數值模擬研究_百度文庫
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雜質碳加工工藝-催化劑,二氧化碳,碳化硅,X射線,生產碳化硅版
舉報文檔(dang)(dang)介紹(shao)暫無(wu)描述文檔(dang)(dang)分類(lei)待分類(lei)文檔(dang)(dang)格式.pdf文檔(dang)(dang)標(biao)簽加(jia)熱棒碳(tan)化硅(gui)石墨雜質數值溫(wen)度評(ping)論(lun)評(ping)論(lun)的(de)時候(hou),請遵紀守(shou)法(fa)并(bing)注意語言文明,多(duo)給(gei)文檔(dang)(dang)。
碳化硅的特性和根本機能
碳(tan)化(hua)硅中雜質(zhi)的(de)(de)形(xing)態(tai)-碳(tan)化(hua)硅中雜質(zhi)的(de)(de)形(xing)態(tai)碳(tan)化(hua)硅的(de)(de)研發(fa)成功并很好的(de)(de)利用是市場發(fa)展過程中的(de)(de)一大(da)進步點,特(te)別是對于1893年艾奇遜(xun)的(de)(de)發(fa)明為(wei)引子(zi),由(you)此(ci)推出的(de)(de)國(guo)內由(you)趙廣和。
供應綠色碳化硅雜質少硅含量98.5河南SIC碳化硅生產基地
2011年6月14日-碳化硅在現(xian)代工(gong)業生產中(zhong)的(de)應(ying)用(yong)范圍(wei)比較廣泛,比較為人們所了解的(de)是(shi)應(ying)用(yong)于磨料、磨具領域。但是(shi)隨(sui)著科學技術的(de)進(jin)步,人們對碳化硅的(de)認(ren)識也逐漸深(shen)入,由此(ci)開發(fa)。
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碳化(hua)硅(SiC)是用石(shi)英砂、石(shi)油(you)焦(jiao)(或煤焦(jiao))、木(mu)屑為原料(liao)通(tong)過電阻爐高溫(wen)冶煉而(er)成。碳化(hua)硅在大(da)自然也存在罕見(jian)的礦物(wu),莫桑(sang)石(shi)。碳化(hua)硅又(you)稱(cheng)<a。
二次離子質譜分析碳化硅中釩雜質含量的研究-碩士論文-道客巴巴
碳化(hua)硅(gui);物(wu)理性質性狀(zhuang):綠色(se)(se)藍黑(hei)色(se)(se)結晶(jing)性粉末.含雜(za)質的(de)碳化(hua)硅(gui)為綠色(se)(se),固性狀(zhuang):綠色(se)(se)藍黑(hei)色(se)(se)結晶(jing)性粉末.含雜(za)質的(de)碳化(hua)硅(gui)為綠色(se)(se),固溶有炭和(he)金屬氧化(hua)物(wu)雜(za)質呈(cheng)黑(hei)色(se)(se)。密(mi)。
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論(lun)文(wen)天(tian)下提供的(de)<二(er)次離子質譜分(fen)析(xi)(xi)碳(tan)化(hua)硅中釩(fan)(fan)雜(za)質含(han)量(liang)的(de)研究;論(lun)文(wen)包括碳(tan)化(hua)硅二(er)次離子質譜釩(fan)(fan)摻雜(za)定量(liang)分(fen)析(xi)(xi)二(er)次離子質譜分(fen)析(xi)(xi)離子注入樣品等其他相關內(nei)容論(lun)文(wen)。
jinshinaicai-和訊財經微博-碳化硅中雜質的形態-碳化硅中..
2013年4月24日-碳(tan)化硅(gui)俗(su)稱(cheng)金剛石(shi),又稱(cheng)碳(tan)硅(gui)石(shi),主(zhu)要用作耐磨(mo)材料,耐火材料,核反應堆材料及制造電阻發熱硅(gui)碳(tan)棒(管),半導體元(yuan)(yuan)件(jian),C二(er)級管,晶體管,電器(qi)元(yuan)(yuan)件(jian),火箭(jian)噴管等。
加強生產工藝管理提高碳化硅產品質量——寧夏天凈集團碳化硅
產業領(ling)域:新(xin)能(neng)源(yuan)光伏需(xu)求類型:技(ji)術(shu)服務需(xu)求編號:189-07制(zhi)粉(fen)是碳化(hua)硅微粉(fen)生產中(zhong)的(de)重要工序,但由于碳化(hua)硅的(de)硬(ying)度(du)較高(gao),其(qi)莫(mo)氏硬(ying)度(du)為(wei)9.5級(ji),在莫(mo)氏硬(ying)度(du)標準中(zhong)僅低于金剛石(shi)。
碳化硅-搜搜百科
本文(wen)采用(yong)(yong)ICP-MS法對高純碳(tan)化硅粉(fen)表面的Na、Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Cd12種痕量雜質(zhi)進(jin)行測(ce)定,用(yong)(yong)氫氟酸溶液浸提(ti)試(shi)樣表面雜質(zhi),用(yong)(yong)釔做(zuo)內(nei)標(biao)補償。
碳化硅|化合物-查字典
一種無TiC雜質相(xiang)的(de)(de)碳化(hua)硅鈦陶(tao)(tao)瓷粉(fen)(fen)體的(de)(de)合成(cheng)(cheng)方(fang)法,其特(te)征在于:(1)以Ti粉(fen)(fen)、Si粉(fen)(fen)和(he)TiC本(ben)發(fa)明(ming)公開(kai)了一種低成(cheng)(cheng)本(ben)無TiC雜質相(xiang)的(de)(de)碳化(hua)硅鈦陶(tao)(tao)瓷粉(fen)(fen)體的(de)(de)常(chang)壓合成(cheng)(cheng)方(fang)法,。
二次離子質譜分析碳化硅中釩雜質含量的研究-收費碩士博士論文-
臨沂市(shi)金蒙碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)有限(xian)公司是一家擁有國內先進的碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)微(wei)粉(fen),黑碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui),綠碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui),綠碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)微(wei)粉(fen),黑碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)微(wei)粉(fen),碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)粒(li)度砂(sha),生產線和工藝技術,服務熱(re)線:400-6291-618。
碳化硅成分及性質_行業新聞_濟源防腐耐磨材料有限公司
2008年5月9日-碳(tan)化硅電(dian)力電(dian)子(zi)器件研發進展與存(cun)在問(wen)題,1引(yin)言借助于微電(dian)子(zi)技術(shu)的(de)長足發展,以硅器件為基礎的(de)電(dian)力電(dian)子(zi)技術(shu)因大功(gong)(gong)率(lv)場效應晶體(ti)管(功(gong)(gong)率(lv)MOS)和絕緣柵雙極晶體(ti)。
要除去碳化硅中的含鐵的雜質和氧化鋁膠體及游離碳,需要進行酸
1、游離(li)硅。它一部(bu)分溶解于SiC晶(jing)(jing)體中,一部(bu)分與其雜質(如鐵、鋁、鈣等(deng))形成合(he)金而粘(zhan)附(fu)于晶(jing)(jing)體上或嵌在(zai)晶(jing)(jing)體中。2、游離(li)二氧化硅。通常存在(zai)于晶(jing)(jing)體表面。大都是(shi)由于。
請教一下有關碳化硅的一些問題_化學吧_百度貼吧
對SiC中基態(tai)施主能(neng)級分(fen)裂對雜質電(dian)離的(de)(de)影(ying)響,與(yu)溫(wen)度(du)、摻雜濃(nong)(nong)度(du)和雜質能(neng)級深度(du)的(de)(de)關系進行了系統研(yan)究。發現只(zhi)有在高(gao)溫(wen)且摻雜濃(nong)(nong)度(du)低的(de)(de)情況下(xia),能(neng)級分(fen)裂的(de)(de)影(ying)響很小可忽略不(bu)計。
(189-07,新能源光伏,技術服務)碳化硅微粉中鐵雜質清除裝置及方法
氮化硅結(jie)合碳(tan)化硅材料(liao)反應燒結(jie)時(shi)的雜(za)質相(xiang)行為分析,郝小勇;-陶瓷工程1998年第03期(qi)在線閱(yue)讀、文(wen)章(zhang)下載。<正;l前言(yan)Si3N4結(jie)合SIC材料(liao)的研究近(jin)年來在國內(nei)發展較快,該。
ICP-MS法測定高純碳化硅粉表面的痕量雜質Determinationoftrace
分(fen)析(xi)了Si3N4結(jie)(jie)合(he)Si3C材(cai)(cai)料(liao)(liao)反應燒(shao)結(jie)(jie)時Fe2O3、SiO2、Al2O3、CaO等(deng)雜(za)質(zhi)(zhi)相的反應行(xing)為。氮化(hua)硅結(jie)(jie)合(he)碳化(hua)硅材(cai)(cai)料(liao)(liao)反應燒(shao)結(jie)(jie)時的雜(za)質(zhi)(zhi)相行(xing)為分(fen)析(xi)前言:分(fen)析(xi)了Si3N4結(jie)(jie)合(he)Si3C材(cai)(cai)料(liao)(liao)。
碳化硅陶瓷工藝流程解析-新聞-九正建材網(中國建材網)
[圖(tu)文]目前(qian),國內(nei)使用的(de)切(qie)(qie)割(ge)液和(he)碳化(hua)硅(gui)微(wei)粉(fen)在線切(qie)(qie)割(ge)過程中,砂(sha)漿(jiang)中不可避免的(de)會混入硅(gui)粉(fen)、鐵、高聚物等(deng)雜質,部分碳化(hua)硅(gui)微(wei)粉(fen)也會因切(qie)(qie)割(ge)作用而出現破損,產生的(de)廢砂(sha)漿(jiang)很難繼續。
一種無TiC雜質相的碳化硅鈦陶瓷粉體的合成方法-200710118878-錢眼
氮化硅(gui)結(jie)合(he)碳化硅(gui)材料(liao)反應燒(shao)結(jie)時的(de)雜質相(xiang)行(xing)為(wei)(wei)分(fen)析-分(fen)析了Si3N4結(jie)合(he)Si3C材料(liao)反應燒(shao)結(jie)時Fe2O3、SiO2、Al2O3、CaO等雜質相(xiang)的(de)反應行(xing)為(wei)(wei)。
黑碳化硅,綠碳化硅,綠碳化硅微粉,黑碳化硅微粉,碳化硅粒度砂|臨沂
碳化硅質泡(pao)沫陶瓷(ci)過濾(lv)(lv)片,去孔(kong),濾(lv)(lv)渣,吸附雜質泡(pao)沫陶瓷(ci)過濾(lv)(lv)片簡(jian)介泡(pao)沫陶瓷(ci)過濾(lv)(lv)器的過濾(lv)(lv)機理:整流作用:在澆鑄系統中(zhong)放置泡(pao)沫陶瓷(ci)過濾(lv)(lv)片后,金屬液流阻力(li)增大,。
碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題
淄博鑄泰碳(tan)素有限公司碳(tan)化硅(gui)簡介:碳(tan)化硅(gui)英文(wen)名稱:siliconcarbide,俗稱金剛砂。純碳(tan)化硅(gui)是無(wu)色(se)透明的晶(jing)體。工業碳(tan)化硅(gui)因(yin)所含雜質(zhi)的種(zhong)類和含量不(bu)同,而呈淺黃、綠、藍(lan)。