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碳化硅粉末中雜質元素的測定-《上海金屬.有色分冊》1992年05期

陶瓷材料等離(li)子發射(she)光譜法微量雜(za)質(zhi)元素(su)測(ce)定微電子工業發動機雜(za)質(zhi)分析(xi)高溫技(ji)術聚變裝置(zhi)微量元素(su)。

碳化硅微粉中的雜質太多怎么處理_百度知道

如(ru)碲化鉛(PbTe)、砷(shen)化銦(InAs)、硫化鉛(PbS)、碳(tan)化硅(gui)(SiC)等。與(yu)金屬材料不同,半導(dao)體中雜(za)質含量和(he)外界條件的改變(bian)(如(ru)溫度變(bian)化、受光照射等),都會使半導(dao)體的。

碳化硅_百度百科

怎樣(yang)去除碳化(hua)硅(gui)制品(pin)中的(de)雜質(zhi)(zhi)沒有任何(he)一件事物是沒有雜質(zhi)(zhi)的(de),即便(bian)是很多化(hua)學原料或者經過多重步驟產(chan)生的(de)高科技產(chan)品(pin),所以,目(mu)前市場(chang)上出現(xian)的(de)碳化(hua)硅(gui)產(chan)品(pin)也有很多雜質(zhi)(zhi)。但是。

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怎樣去除碳化硅制品中的雜質-新聞動態-淄博中晶碳素有限公司

本發(fa)明涉及一(yi)種應(ying)用X射線(xian)熒光光譜法(fa)檢測(ce)碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)雜質含量的方法(fa),其步驟如下:1、制備測(ce)試樣片;2、制備標(biao)準(zhun)樣片:①提(ti)純碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)的制樣;②碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)提(ti)純,制備出純品碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui);③。

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現在(zai)的原(yuan)料主要成分是硅和(he)碳化硅的混合物,里面含有少量鐵雜質,怎樣除去鐵,請各位賜教,謝謝。

應用X射線熒光光譜法檢測碳化硅雜質含量的方法-查詢下載-中國

2012年12月(yue)28日-碳(tan)化硅(gui)晶體中的雜(za)質是:鐵(tie)、鋁、鈣、鎂、硅(gui)等的氧(yang)化物(wu)和碳(tan)化物(wu),以及它們(men)的共熔物(wu)。這些雜(za)質在(zai)冶煉爐熱動力條件下(xia),溫度在(zai)2100——2200℃時被蒸發排。

如何去除硅和碳化硅的混合物中的少量鐵雜質-非金屬-小木蟲-

[24]β-碳(tan)化硅(gui)(gui)因其(qi)相(xiang)較α-碳(tan)化硅(gui)(gui)擁(yong)有更高(gao)的比表面積,所以可用于(yu)非均(jun)相(xiang)催化劑的負載體。純的碳(tan)化硅(gui)(gui)是(shi)無色的,工業用碳(tan)化硅(gui)(gui)由于(yu)含有鐵等雜質(zhi)而呈現棕色黑色晶體。

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碳化硅-維基百科,自由的百科全書

導(dao)(dao)熱率:碳(tan)(tan)化(hua)硅制品的(de)導(dao)(dao)熱率非常(chang)非常(chang)高(gao),熱膨脹參數小(xiao)巧,抗熱震(zhen)性(xing)非常(chang)非常(chang)高(gao),是(shi)優(you)質(zhi)的(de)耐火材料。3、電學屬性(xing)恒溫下工業碳(tan)(tan)化(hua)硅是(shi)一種半導(dao)(dao)體,屬雜質(zhi)導(dao)(dao)電性(xing)。高(gao)純度。

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舉報文(wen)檔介紹暫無描述文(wen)檔分類待(dai)分類文(wen)檔格式(shi).pdf文(wen)檔標簽加熱棒碳化(hua)硅(gui)石墨雜質(zhi)數值溫度評(ping)論(lun)評(ping)論(lun)的時候,請遵紀守(shou)法并注意語言文(wen)明,多給文(wen)檔。

碳化硅的特性和根本機能

碳化(hua)硅中雜質的(de)(de)形態-碳化(hua)硅中雜質的(de)(de)形態碳化(hua)硅的(de)(de)研發成功并很好(hao)的(de)(de)利用(yong)是市(shi)場(chang)發展過程(cheng)中的(de)(de)一(yi)大進步點,特別是對于1893年艾奇遜(xun)的(de)(de)發明(ming)為引子,由(you)此推出的(de)(de)國內由(you)趙廣和。

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2011年(nian)6月14日-碳(tan)化硅(gui)在現代(dai)工業生產中的(de)應用(yong)范圍比較(jiao)廣泛,比較(jiao)為(wei)人(ren)們(men)所了解(jie)的(de)是(shi)(shi)應用(yong)于磨(mo)料、磨(mo)具領域。但是(shi)(shi)隨著科學技術的(de)進步,人(ren)們(men)對碳(tan)化硅(gui)的(de)認識(shi)也逐漸深(shen)入,由此開發。

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碳化硅(gui)(SiC)是用石(shi)英砂、石(shi)油焦(或煤焦)、木屑為(wei)原料通過(guo)電阻爐高(gao)溫冶煉而(er)成。碳化硅(gui)在(zai)大自然也(ye)存在(zai)罕見的礦物,莫桑(sang)石(shi)。碳化硅(gui)又稱<a。

二次離子質譜分析碳化硅中釩雜質含量的研究-碩士論文-道客巴巴

碳化硅(gui);物理性質(zhi)性狀:綠(lv)色藍黑(hei)色結晶(jing)性粉末(mo).含雜(za)(za)質(zhi)的(de)碳化硅(gui)為綠(lv)色,固性狀:綠(lv)色藍黑(hei)色結晶(jing)性粉末(mo).含雜(za)(za)質(zhi)的(de)碳化硅(gui)為綠(lv)色,固溶有(you)炭和金屬氧化物雜(za)(za)質(zhi)呈黑(hei)色。密。

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論(lun)文天(tian)下提供的<二(er)次離子質譜(pu)分(fen)析碳化硅(gui)中(zhong)釩雜質含量的研究;論(lun)文包括碳化硅(gui)二(er)次離子質譜(pu)釩摻雜定(ding)量分(fen)析二(er)次離子質譜(pu)分(fen)析離子注入樣品等其他相關內(nei)容(rong)論(lun)文。

jinshinaicai-和訊財經微博-碳化硅中雜質的形態-碳化硅中..

2013年4月24日(ri)-碳(tan)化硅俗稱金剛石,又稱碳(tan)硅石,主要用作耐(nai)(nai)磨材料(liao),耐(nai)(nai)火材料(liao),核反應堆材料(liao)及制(zhi)造電阻(zu)發熱硅碳(tan)棒(管(guan)(guan)),半導體元件,C二(er)級(ji)管(guan)(guan),晶體管(guan)(guan),電器(qi)元件,火箭(jian)噴管(guan)(guan)等。

加強生產工藝管理提高碳化硅產品質量——寧夏天凈集團碳化硅

產業領域:新能(neng)源光伏需(xu)求(qiu)類(lei)型(xing):技術服務需(xu)求(qiu)編號:189-07制粉(fen)是碳化(hua)硅微粉(fen)生產中的重要工(gong)序,但(dan)由于碳化(hua)硅的硬(ying)(ying)度(du)(du)較高,其莫(mo)氏硬(ying)(ying)度(du)(du)為9.5級(ji),在莫(mo)氏硬(ying)(ying)度(du)(du)標準(zhun)中僅低于金剛石(shi)。

碳化硅-搜搜百科

本文采用(yong)ICP-MS法(fa)對高純碳化硅粉表(biao)面(mian)的(de)Na、Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Cd12種痕量雜質進行(xing)測定,用(yong)氫氟酸溶液(ye)浸提試樣表(biao)面(mian)雜質,用(yong)釔(yi)做內標補償。

碳化硅|化合物-查字典

一種(zhong)無(wu)TiC雜質相(xiang)的碳化(hua)(hua)硅(gui)鈦陶瓷(ci)粉(fen)(fen)體(ti)的合成方法,其(qi)特征在(zai)于:(1)以Ti粉(fen)(fen)、Si粉(fen)(fen)和TiC本(ben)發明公開了一種(zhong)低成本(ben)無(wu)TiC雜質相(xiang)的碳化(hua)(hua)硅(gui)鈦陶瓷(ci)粉(fen)(fen)體(ti)的常壓合成方法,。

二次離子質譜分析碳化硅中釩雜質含量的研究-收費碩士博士論文-

臨(lin)沂市金(jin)蒙碳化(hua)硅(gui)有(you)限公司是一家擁有(you)國內先(xian)進的(de)碳化(hua)硅(gui)微粉,黑碳化(hua)硅(gui),綠碳化(hua)硅(gui),綠碳化(hua)硅(gui)微粉,黑碳化(hua)硅(gui)微粉,碳化(hua)硅(gui)粒度砂(sha),生(sheng)產(chan)線和工(gong)藝(yi)技術,服務熱線:400-6291-618。

碳化硅成分及性質_行業新聞_濟源防腐耐磨材料有限公司

2008年5月(yue)9日(ri)-碳化硅(gui)電(dian)力電(dian)子(zi)器件研發進展與(yu)存(cun)在問題,1引言借助于微電(dian)子(zi)技術的長足發展,以硅(gui)器件為基礎的電(dian)力電(dian)子(zi)技術因大功(gong)(gong)率場效應晶體管(guan)(功(gong)(gong)率MOS)和(he)絕(jue)緣柵(zha)雙極晶體。

要除去碳化硅中的含鐵的雜質和氧化鋁膠體及游離碳,需要進行酸

1、游離(li)(li)硅。它(ta)一(yi)部分(fen)溶(rong)解于(yu)SiC晶體(ti)中,一(yi)部分(fen)與其雜質(如鐵、鋁、鈣等)形成合(he)金而(er)粘附于(yu)晶體(ti)上或嵌在晶體(ti)中。2、游離(li)(li)二(er)氧化(hua)硅。通(tong)常(chang)存在于(yu)晶體(ti)表(biao)面。大都是由(you)于(yu)。

請教一下有關碳化硅的一些問題_化學吧_百度貼吧

對(dui)(dui)SiC中基(ji)態施主能(neng)級(ji)分裂對(dui)(dui)雜質(zhi)電(dian)離的(de)影響,與溫度、摻(chan)雜濃(nong)度和雜質(zhi)能(neng)級(ji)深度的(de)關系進(jin)行了系統研究(jiu)。發現只有在高溫且摻(chan)雜濃(nong)度低(di)的(de)情況下,能(neng)級(ji)分裂的(de)影響很(hen)小可忽略不計。

(189-07,新能源光伏,技術服務)碳化硅微粉中鐵雜質清除裝置及方法

氮(dan)化硅結合碳化硅材料反(fan)應燒結時的(de)雜(za)質相行為分析,郝小(xiao)勇;-陶瓷工(gong)程1998年(nian)(nian)第03期在線閱讀、文章下載。<正;l前言Si3N4結合SIC材料的(de)研(yan)究近年(nian)(nian)來在國內發展較(jiao)快,該。

ICP-MS法測定高純碳化硅粉表面的痕量雜質Determinationoftrace

分(fen)析了Si3N4結合(he)Si3C材料反應(ying)燒(shao)結時Fe2O3、SiO2、Al2O3、CaO等雜(za)質相的反應(ying)行(xing)為(wei)。氮化硅(gui)結合(he)碳化硅(gui)材料反應(ying)燒(shao)結時的雜(za)質相行(xing)為(wei)分(fen)析前言:分(fen)析了Si3N4結合(he)Si3C材料。

碳化硅陶瓷工藝流程解析-新聞-九正建材網(中國建材網)

[圖文]目前,國內使用的(de)(de)切割液和碳(tan)化(hua)硅(gui)微粉在(zai)線切割過程中,砂(sha)漿中不可避免的(de)(de)會混(hun)入硅(gui)粉、鐵、高聚物等雜質,部分碳(tan)化(hua)硅(gui)微粉也會因切割作(zuo)用而(er)出現破損,產生的(de)(de)廢砂(sha)漿很難繼續。

一種無TiC雜質相的碳化硅鈦陶瓷粉體的合成方法-200710118878-錢眼

氮化硅(gui)結合碳化硅(gui)材料反應(ying)燒結時的(de)雜質相行(xing)為分析-分析了Si3N4結合Si3C材料反應(ying)燒結時Fe2O3、SiO2、Al2O3、CaO等雜質相的(de)反應(ying)行(xing)為。

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碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題

淄博鑄泰碳(tan)(tan)素有(you)限公司(si)碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)簡介:碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)英文名稱:siliconcarbide,俗稱金(jin)剛砂。純(chun)碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)是(shi)無色透(tou)明的晶體。工業碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)因所含雜質的種類(lei)和含量(liang)不同,而呈淺黃、綠、藍(lan)。

工業生產的碳化硅砂除主成分SiC外,通常含有2%~5%的雜質。這些

SiC中基態施主能級分裂對雜質電離的影響-碳化硅;基態施主能級

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