MEMS射頻薄膜體聲波諧振器(FBAR)研究
在固態裝配型諧振器(SMR)方面,論文采用上述模型分析了四分之一(yi)波長布(bu)拉格(ge)反(fan)(fan)射柵對(dui)其諧振特性的影響,得(de)到了SMR器件獲得(de)理想性能所需的少反(fan)(fan)射柵對(dui)數;另(ling)外,考(kao)慮到實際(ji)。
石英晶體諧振器行業技術文章_慧聰網
壓電(dian)層的典(dian)型(xing)厚度在幾個微米或(huo)壓力場看起來與(yu)(單晶(jing)的)石(shi)英模(mo)式的石(shi)英這種類型(xing)的BAW被稱為固態裝配(pei)諧振器(qi)(qi)(SMR)。魯棒性而(er)言,,則可減少諧振器(qi)(qi)。
ZnO固態裝配型諧振器(SMR)的模擬分析-《中國聲學學會2007年青年
ZnO固態裝配型(xing)諧(xie)振器(qi)(SMR)的(de)模擬分析湯亮郝(hao)震宏喬東海(hai)汪承(cheng)灝摘要:正1引言近年來,薄膜體聲波諧(xie)振器(qi)(FBAR)由于(yu)其較小(xiao)的(de)體積(ji)以及可與(yu)IC電路進(jin)行(xing)單。
布喇格反射層對SMR性能影響的仿真分析_百度文庫
這樣(yang)形成(cheng)的(de)諧振器是(shi)固態裝配諧振器(SMR)。在(zai)一個(ge)實(shi)施(shi)例中,襯底12由硅(Si)制(zhi)成(cheng),PZ層18由氮化鋁(AlN)制(zhi)成(cheng)。或者,也可以使(shi)用(yong)其他的(de)壓(ya)電材(cai)料來制(zhi)作(zuo)PZ層18。在(zai)一。
CN1845453A-使用填充凹進區的聲諧振器的性能增強-Google
基于(yu)CMOS工(gong)藝的高性(xing)能射頻濾(lv)(lv)波器:體聲波濾(lv)(lv)波器BAW第2頁/共6頁<上一頁下(xia)這(zhe)種類型的BAW被稱為固態裝配諧振器(SMR)。魯棒性(xing)而言(yan),SMR比膜結構的BAW要(yao)好。
基于CMOS工藝的高性能射頻濾波器:體聲波濾波器BAW_中華文本庫
這種(zhong)類型的(de)BAW被(bei)稱為固態裝(zhuang)配諧振器(qi)(SMR)。魯棒性而言,SMR比膜結構的(de)BAW要好很多(duo)。在劃片和裝(zhuang)配所需的(de)各種(zhong)標準工(gong)序中,沒有(you)機械(xie)損壞的(de)風險。壓電層和電極層上。
基于CMOS工藝的高性能射頻濾波器:體聲波濾波器(BAW)
和電極做成(cheng)膜結(jie)構(gou)或一并沉積(ji)到一個(ge)薄的支撐膜上,形成(cheng)空氣一固體交(jiao)界面;還有(you)一種方式是采用“聲波(bo)鏡(jing)”形成(cheng)反(fan)射面來實現,這(zhe)種結(jie)構(gou)被(bei)稱為“固態(tai)裝配諧振器(SMR)。
薄膜體聲波濾波器的材料設計及應用-豆丁網
鋯(gao)鈦(tai)酸鉛溶膠凝膠諧(xie)(xie)振器建立(li)微(wei)型體聲波諧(xie)(xie)振器機械(xie)結構(gou)的等效電路模型,運(yun)用PSPICE軟(ruan)件(jian)研究4湯(tang)亮;郝震宏;喬東海;汪承灝;;ZnO固態裝配型諧(xie)(xie)振器(SMR)。
龍俞兆-技術總結-道客巴巴
[0003]壓(ya)電薄膜(mo)諧(xie)(xie)振(zhen)器可以分類為(wei)FBAR(膜(mo)體聲諧(xie)(xie)振(zhen)器)型和(he)SMR(固態裝配(pei)諧(xie)(xie)振(zhen)器)型。[0003]thepiezoelectricthinfilmresonatorcanbeclassifiedasFBAR。
PZT薄膜材料的生長與應用-《廈門大學》2009年碩士論文
上述聲波器(qi)(qi)件的示例為諸(zhu)如FBAR(膜體聲波諧振器(qi)(qi))和SMR(SolidlyMoutedResonator:固態裝配諧振器(qi)(qi))的薄膜諧振器(qi)(qi)。Examplesoftheacousticwavedevicesuchas。
CN101083460B-Filterhavingmultiplepiezoelectricthin-
聲諧(xie)振器(10;110;和210)包括少部(bu)分地補償(chang)通(tong)過電極壓(ya)電疊(die)層(ceng)(18)引入的(de)溫(wen)度(du)感應效應的(de)鐵磁補償(chang)器(20;120;和220)。該補償(chang)器具有(you)正頻(pin)率溫(wen)度(du)系(xi)數,而疊(die)層(ceng)具有(you)負。
BAW_百度文庫
包(bao)含這些壓(ya)電(dian)薄(bo)(bo)膜(mo)諧(xie)振器(qi)的(de)濾(lv)波器(qi)也受到關注。[0003]壓(ya)電(dian)薄(bo)(bo)膜(mo)諧(xie)振器(qi)的(de)例子包(bao)括FBAR(薄(bo)(bo)膜(mo)腔聲(sheng)諧(xie)振器(qi),FilmBulkAcousticResonator)型(xing)和SMR(固(gu)態(tai)裝配諧(xie)振器(qi),Solidly。
CN101136620B-Acousticwavedevice,filterandduplexer
將上(shang)述壓(ya)(ya)電(dian)薄膜諧振器(qi)(qi)分為兩種類型,FBAR(薄膜腔聲諧振器(qi)(qi))和SMR(固(gu)態裝配(pei)諧振器(qi)(qi))。FBAR包括層疊在諸如硅或玻(bo)璃(li)的基板(ban)上(shang)的上(shang)電(dian)極膜、壓(ya)(ya)電(dian)膜和下電(dian)極膜的層疊結構。
布喇格反射層對SMR性能影響的仿真分析SimulationAnalysisof
包含這些壓(ya)電(dian)薄(bo)膜(mo)諧振(zhen)器(qi)的濾波器(qi)也受到關注(zhu)。壓(ya)電(dian)薄(bo)膜(mo)諧振(zhen)器(qi)的例子包括FBAR(薄(bo)膜(mo)腔(qiang)聲諧振(zhen)器(qi),FilmBulkAcousticResonator)型(xing)和SMR(固態裝配(pei)諧振(zhen)器(qi),SolidlyMounted。
CN1340915A-聲波諧振器及在溫度變化時運行其以保持諧振的
另外(wai)值得一(yi)提的是,德國的Infneon公司在2003年(nian)推(tui)出了具有布拉(la)格(ge)反射層(ceng)結構的固貼(tie)式(shi)(又(you)稱固態裝(zhuang)配型)薄膜(mo)體(ti)聲波諧振器(SMR-FBAR)[9-10].而我國關于。
CN1862959B-壓電薄膜諧振器與濾波器-Google
0引(yin)言固態引(yin)信諧振(zhen)器是電(dian)子安全系(xi)統(tong)的重要組成部分之一,它能(neng)在后坐加速度和旋轉離(li)心力的作用下(xia)向前(qian)運動,使限位保(bao)險處于鎖(suo)定狀態,從(cong)而使引(yin)信處于待發狀態。但是,。
CN1677852A-諧振器濾波器以及諧振器的制造-Google
毫(hao)米波(bo)(bo)平(ping)面(mian)振(zhen)蕩器基片集成(cheng)波(bo)(bo)導相位(wei)噪聲雙(shuang)端(duan)口壓控振(zhen)蕩器注(zhu)入鎖定諧(xie)波(bo)(bo)振(zhen)蕩器毫(hao)米波(bo)(bo)平(ping)面(mian)振(zhen)蕩器是毫(hao)米波(bo)(bo)平(ping)面(mian)集成(cheng)系統ZnO固態(tai)裝配(pei)型諧(xie)振(zhen)器(SMR)的(de)模擬分析[。
CN1862959A-壓電薄膜諧振器與濾波器-Google
聲(sheng)諧振器(10;110;和210)包括少部分地補償通過電極壓電疊層(18)引入的(de)溫度感(gan)應效應的(de)鐵磁補償器(20;120;和220)。Theacousticresonator(10;110;and。
薄膜體聲波諧振器(FBAR)的結構制備工藝研究-會議論文-道客巴巴
關鍵(jian)詞:微波(bo)濾波(bo)器(qi)時域有限(xian)差分法階梯阻抗諧(xie)振(zhen)器(qi)橢圓函數(shu)濾波(bo)器(qi)多層6湯亮(liang);郝震(zhen)宏;喬東海;汪(wang)承灝;;ZnO固態裝配型諧(xie)振(zhen)器(qi)(SMR)的(de)模擬分析[A];。
固貼式薄膜體聲波諧振器用材料體系研究進展-豆丁網
摘(zhai)要固(gu)態(tai)微(wei)型(xing)諧振器的工作頻率高、功(gong)率容量大、損(sun)耗低、體(ti)積小,是目前有望第三種為(wei)本研究采用反射層聲(sheng)學隔離固(gu)定結構(SolidlyMountedResonatorSMR),如圖(tu)l一。
MEMS固態引信諧振器的系統級設計與仿真-《科技廣場》2007年09期
在固態裝配型(xing)諧振(zhen)器(qi)(SMR)方面,論文采用上述模型(xing)分析了四分之一波長布拉格(ge)反(fan)射柵(zha)(zha)對其諧振(zhen)特性的影(ying)響,得到了SMR器(qi)件獲得理想性能所需的少反(fan)射柵(zha)(zha)對數;另外,考慮(lv)到實際。
復合雙壓電層FBAR的建模與仿真楊成韜1,李健雄1,許紹俊2,銳1,-
這樣形成(cheng)的諧振器是固態裝配諧振器(SMR)。Thethusformedassemblyoftheresonatoriidresonator(SMR).在一個實施例中,襯(chen)底12由硅(Si)制成(cheng),。
基于基片集成波導的高性能毫米波平面振蕩器研究與應用-《電子
大(da)字報利用無線傳(chuan)感器網(wang)絡實現(xian)運動聲源(yuan)的(de)定位與跟蹤錄取,報告用相對運動幾何求解(jie)BOT問題ZnO固(gu)態裝配型諧(xie)振(zhen)器(SMR)的(de)模擬分析PGC解(jie)調光纖(xian)傳(chuan)聲器技術的(de)討論一種單(dan)。
CN1229917C-Soundwaveresonator-Google
將上述壓電薄(bo)膜諧振(zhen)器分為兩種(zhong)類(lei)型,FBAR(薄(bo)膜腔聲(sheng)諧振(zhen)器)和SMR(固態裝配諧振(zhen)器)。FBAR包括層疊在諸(zhu)如(ru)硅或玻璃的基板上的上電極(ji)膜、壓電膜和下電極(ji)膜的層疊。
無線通信系統中的微波濾波器性能及小型化研究-《上海大學》2004
2007年10月31日-壓電薄膜(mo)諧振(zhen)器(qi)可(ke)分成FBAR(薄膜(mo)塊體(ti)聲(sheng)波(bo)諧振(zhen)器(qi))型和SMR(固態裝配諧振(zhen)器(qi),solidlymountedresonator)型。Thepiezoelectricthinfilmresonatormay。
基于MoTi布拉格反射層的固態微型諧振器與濾波器的研究-豆丁網
該傳感器(qi)是混合(he)型諧(xie)(xie)振(zhen)(zhen)(zhen)無(wu)源(yuan)諧(xie)(xie)振(zhen)(zhen)(zhen)結構,其(qi)可(ke)以在制造過程中(zhong)被集成于車(che)輛(liang)地面連接裝(zhuang)(zhuang)置HBAR“高模薄(bo)膜體(ti)聲波諧(xie)(xie)振(zhen)(zhen)(zhen)器(qi)”),或者帶有布拉格反射鏡(SMR“固態裝(zhuang)(zhuang)配(pei)型諧(xie)(xie)振(zhen)(zhen)(zhen)。
基于CMOS工藝的高性能射頻濾波器:體聲波濾波器BAW_百度文庫
該傳感器是混合型諧(xie)(xie)振無源諧(xie)(xie)振結構,其可以在制造過程中被集成于車輛(liang)地面連接裝(zhuang)置HBAR"高模薄(bo)膜體(ti)聲波諧(xie)(xie)振器"),或者帶有布(bu)拉格(ge)反射鏡(SMR"固(gu)態裝(zhuang)配型諧(xie)(xie)振器"。
院機構知識庫網格(CASIRGRID):MEMS射頻薄膜體聲波諧振器(
2010年6月16日-[0020]壓電薄(bo)膜諧振器(qi)包(bao)括FBAR型和SMR型,其中FBAR是薄(bo)膜體聲(sheng)波諧振器(qi)(Film-BulkAcousticResonator)的縮寫,以及SMR是固態(tai)安(an)裝諧振器(qi)(SolidlyMounted。
CN1845453A-Acousticresonatorperformanceenhancement
2005年10月5日-將上述壓電薄膜(mo)諧(xie)振(zhen)器(qi)(qi)分為兩種類型,FBAR(薄膜(mo)腔聲諧(xie)振(zhen)器(qi)(qi))和SMR(固態裝配諧(xie)振(zhen)器(qi)(qi))。Theabovepiezoelectricthinfilmresonatorisdividedinto。
薄膜諧振器技術概述_百度文庫
[0003]壓電(dian)(dian)薄(bo)膜諧(xie)振(zhen)器(qi)可(ke)分成FBAR(薄(bo)膜塊體(ti)聲(sheng)波諧(xie)振(zhen)器(qi))型(xing)和SMR(固(gu)態裝(zhuang)配諧(xie)振(zhen)器(qi),solidlymountedresonator)型(xing)。FBAR具有由上部電(dian)(dian)極(ji)、壓電(dian)(dian)膜和下部電(dian)(dian)極(ji)構成的。