MEMS射頻薄膜體聲波諧振器(FBAR)研究
在固(gu)態裝(zhuang)配型(xing)諧(xie)振器(SMR)方面,論文采用上述(shu)模型(xing)分析(xi)了四分之一波長布拉格(ge)反射(she)柵(zha)(zha)對其諧(xie)振特性的影響,得(de)到了SMR器件(jian)獲(huo)得(de)理想性能所需的少反射(she)柵(zha)(zha)對數(shu);另外(wai),考慮到實際。
石英晶體諧振器行業技術文章_慧聰網
壓(ya)電層的典型(xing)厚(hou)度在幾個微米或壓(ya)力場看起來與(單(dan)晶的)石(shi)英模式的石(shi)英這種類型(xing)的BAW被(bei)稱為(wei)固態裝配諧(xie)振器(qi)(SMR)。魯棒性而(er)言,,則可減少諧(xie)振器(qi)。
ZnO固態裝配型諧振器(SMR)的模擬分析-《中國聲學學會2007年青年
ZnO固態裝(zhuang)配型諧振器(qi)(SMR)的模擬分析湯亮郝震宏(hong)喬東海汪(wang)承(cheng)灝摘要:正1引言近(jin)年來(lai),薄(bo)膜(mo)體聲波諧振器(qi)(FBAR)由于其較小(xiao)的體積以及可與IC電路(lu)進行單。
布喇格反射層對SMR性能影響的仿真分析_百度文庫
這樣形(xing)成的(de)諧振器(qi)是固態裝(zhuang)配(pei)諧振器(qi)(SMR)。在一個實施例中,襯(chen)底12由硅(Si)制成,PZ層18由氮化鋁(AlN)制成。或者,也可以使用其他的(de)壓電材料來制作PZ層18。在一。
CN1845453A-使用填充凹進區的聲諧振器的性能增強-Google
基于(yu)CMOS工藝的(de)(de)高性能射頻(pin)濾(lv)(lv)波器(qi):體聲波濾(lv)(lv)波器(qi)BAW第2頁(ye)/共6頁(ye)<上一頁(ye)下(xia)這(zhe)種類型的(de)(de)BAW被稱為固(gu)態裝配諧(xie)振器(qi)(SMR)。魯棒性而言,SMR比膜結構(gou)的(de)(de)BAW要好。
基于CMOS工藝的高性能射頻濾波器:體聲波濾波器BAW_中華文本庫
這種類型的(de)(de)BAW被(bei)稱為固態(tai)裝配(pei)諧振器(SMR)。魯棒性而言,SMR比膜結構的(de)(de)BAW要(yao)好很(hen)多。在劃片和(he)(he)裝配(pei)所需的(de)(de)各種標準工序中,沒有機械損壞的(de)(de)風險。壓電層(ceng)和(he)(he)電極(ji)層(ceng)上。
基于CMOS工藝的高性能射頻濾波器:體聲波濾波器(BAW)
和(he)電(dian)極做成(cheng)膜結(jie)構(gou)(gou)或一(yi)并沉積(ji)到(dao)一(yi)個薄的支撐膜上,形成(cheng)空(kong)氣(qi)一(yi)固體交界面;還有一(yi)種方(fang)式(shi)是采用“聲波鏡”形成(cheng)反射(she)面來(lai)實現,這種結(jie)構(gou)(gou)被稱(cheng)為“固態(tai)裝(zhuang)配諧振器(SMR)。
薄膜體聲波濾波器的材料設計及應用-豆丁網
鋯(gao)鈦酸(suan)鉛溶膠凝(ning)膠諧振器(qi)建(jian)立(li)微(wei)型(xing)體聲波諧振器(qi)機械結構(gou)的等效(xiao)電路模型(xing),運用PSPICE軟件研(yan)究4湯(tang)亮;郝震宏;喬東海(hai);汪(wang)承灝;;ZnO固態裝配型(xing)諧振器(qi)(SMR)。
龍俞兆-技術總結-道客巴巴
[0003]壓(ya)電薄膜(mo)諧振器(qi)可以分類為(wei)FBAR(膜(mo)體聲諧振器(qi))型和SMR(固態(tai)裝配諧振器(qi))型。[0003]thepiezoelectricthinfilmresonatorcanbeclassifiedasFBAR。
PZT薄膜材料的生長與應用-《廈門大學》2009年碩士論文
上述聲波(bo)器件(jian)的示例(li)為諸如FBAR(膜(mo)體聲波(bo)諧(xie)振器)和SMR(SolidlyMoutedResonator:固態(tai)裝配諧(xie)振器)的薄膜(mo)諧(xie)振器。Examplesoftheacousticwavedevicesuchas。
CN101083460B-Filterhavingmultiplepiezoelectricthin-
聲諧(xie)振器(qi)(10;110;和210)包括少部分地補(bu)(bu)償(chang)通過電(dian)極壓電(dian)疊(die)層(18)引(yin)入的(de)溫度(du)感應效(xiao)應的(de)鐵(tie)磁補(bu)(bu)償(chang)器(qi)(20;120;和220)。該補(bu)(bu)償(chang)器(qi)具有正頻率溫度(du)系數(shu),而(er)疊(die)層具有負(fu)。
BAW_百度文庫
包含這些壓電薄(bo)膜諧振(zhen)(zhen)器(qi)(qi)的濾(lv)波器(qi)(qi)也受到關注。[0003]壓電薄(bo)膜諧振(zhen)(zhen)器(qi)(qi)的例子包括FBAR(薄(bo)膜腔(qiang)聲諧振(zhen)(zhen)器(qi)(qi),FilmBulkAcousticResonator)型和SMR(固態裝(zhuang)配諧振(zhen)(zhen)器(qi)(qi),Solidly。
CN101136620B-Acousticwavedevice,filterandduplexer
將(jiang)上述壓電(dian)薄膜(mo)(mo)諧振器分為兩(liang)種類型,FBAR(薄膜(mo)(mo)腔(qiang)聲諧振器)和SMR(固態裝(zhuang)配諧振器)。FBAR包括層疊(die)在(zai)諸(zhu)如(ru)硅(gui)或玻璃的(de)(de)基板上的(de)(de)上電(dian)極膜(mo)(mo)、壓電(dian)膜(mo)(mo)和下電(dian)極膜(mo)(mo)的(de)(de)層疊(die)結(jie)構。
布喇格反射層對SMR性能影響的仿真分析SimulationAnalysisof
包含這(zhe)些壓電薄膜諧(xie)(xie)振(zhen)器(qi)的(de)濾波(bo)器(qi)也受到關(guan)注。壓電薄膜諧(xie)(xie)振(zhen)器(qi)的(de)例子(zi)包括FBAR(薄膜腔聲諧(xie)(xie)振(zhen)器(qi),FilmBulkAcousticResonator)型和(he)SMR(固態裝配諧(xie)(xie)振(zhen)器(qi),SolidlyMounted。
CN1340915A-聲波諧振器及在溫度變化時運行其以保持諧振的
另外值得一(yi)提的(de)是,德國的(de)Infneon公司在2003年推出了具有布拉格反(fan)射(she)層結構的(de)固貼式(又稱(cheng)固態裝配(pei)型)薄(bo)膜體聲波諧振器(SMR-FBAR)[9-10].而我國關于。
CN1862959B-壓電薄膜諧振器與濾波器-Google
0引(yin)言固態(tai)引(yin)信諧振器是電子安全系統的重要組成部分之一,它能(neng)在后(hou)坐加速(su)度(du)和(he)旋轉離心(xin)力的作用(yong)下向(xiang)前運動,使限位保險(xian)處于(yu)鎖定狀態(tai),從而使引(yin)信處于(yu)待發狀態(tai)。但是,。
CN1677852A-諧振器濾波器以及諧振器的制造-Google
毫米波平(ping)面振(zhen)(zhen)蕩(dang)器基(ji)片集成波導相位噪(zao)聲雙(shuang)端口壓控振(zhen)(zhen)蕩(dang)器注入鎖(suo)定諧波振(zhen)(zhen)蕩(dang)器毫米波平(ping)面振(zhen)(zhen)蕩(dang)器是毫米波平(ping)面集成系統ZnO固(gu)態裝(zhuang)配型諧振(zhen)(zhen)器(SMR)的模擬分(fen)析[。
CN1862959A-壓電薄膜諧振器與濾波器-Google
聲諧振器(10;110;和210)包括少部分地補償(chang)通過電極壓(ya)電疊層(18)引入(ru)的(de)(de)溫度(du)感(gan)應(ying)效應(ying)的(de)(de)鐵(tie)磁補償(chang)器(20;120;和220)。Theacousticresonator(10;110;and。
薄膜體聲波諧振器(FBAR)的結構制備工藝研究-會議論文-道客巴巴
關鍵詞(ci):微(wei)波(bo)濾波(bo)器時域有限差分法階梯阻抗諧(xie)振器橢圓函數濾波(bo)器多層6湯亮;郝震宏;喬東海;汪承灝;;ZnO固態裝配型諧(xie)振器(SMR)的模擬分析[A];。
固貼式薄膜體聲波諧振器用材料體系研究進展-豆丁網
摘要固態微(wei)型諧振器(qi)的工作頻(pin)率(lv)高、功率(lv)容量(liang)大、損耗(hao)低、體積小,是目前有望第三種(zhong)為本研(yan)究采用反射層聲學隔離固定結構(SolidlyMountedResonatorSMR),如圖(tu)l一。
MEMS固態引信諧振器的系統級設計與仿真-《科技廣場》2007年09期
在固態(tai)裝(zhuang)配型(xing)諧振器(SMR)方面,論文采用上述模型(xing)分析了四(si)分之(zhi)一波(bo)長布(bu)拉格反(fan)(fan)射(she)(she)柵(zha)對(dui)其諧振特性(xing)的影響(xiang),得(de)到了SMR器件獲(huo)得(de)理想性(xing)能所需的少反(fan)(fan)射(she)(she)柵(zha)對(dui)數;另外,考慮到實際。
復合雙壓電層FBAR的建模與仿真楊成韜1,李健雄1,許紹俊2,銳1,-
這樣形(xing)成的(de)諧(xie)振器(qi)是(shi)固(gu)態(tai)裝配諧(xie)振器(qi)(SMR)。Thethusformedassemblyoftheresonatoriidresonator(SMR).在一個實施例(li)中,襯底(di)12由硅(Si)制(zhi)成,。
基于基片集成波導的高性能毫米波平面振蕩器研究與應用-《電子
大字報(bao)利(li)用無(wu)線(xian)傳感器網絡(luo)實現運(yun)動聲源的(de)(de)定(ding)位與跟蹤錄取,報(bao)告用相對運(yun)動幾何求解BOT問題ZnO固(gu)態裝配型諧振器(SMR)的(de)(de)模擬分析(xi)PGC解調(diao)光纖傳聲器技術的(de)(de)討論一種單。
CN1229917C-Soundwaveresonator-Google
將上(shang)述壓(ya)(ya)電(dian)薄膜(mo)諧振器(qi)分為(wei)兩(liang)種類(lei)型(xing),FBAR(薄膜(mo)腔聲諧振器(qi))和(he)SMR(固態裝配諧振器(qi))。FBAR包括層疊(die)在諸如(ru)硅或玻璃的基(ji)板上(shang)的上(shang)電(dian)極(ji)膜(mo)、壓(ya)(ya)電(dian)膜(mo)和(he)下(xia)電(dian)極(ji)膜(mo)的層疊(die)。
無線通信系統中的微波濾波器性能及小型化研究-《上海大學》2004
2007年10月(yue)31日(ri)-壓電薄(bo)(bo)膜諧(xie)振器可分成FBAR(薄(bo)(bo)膜塊(kuai)體聲(sheng)波諧(xie)振器)型和(he)SMR(固態裝配諧(xie)振器,solidlymountedresonator)型。Thepiezoelectricthinfilmresonatormay。
基于MoTi布拉格反射層的固態微型諧振器與濾波器的研究-豆丁網
該傳感器是混(hun)合型諧(xie)振(zhen)無源諧(xie)振(zhen)結構,其可以在制造過程中被(bei)集(ji)成于車輛地面連接裝置HBAR“高模(mo)薄(bo)膜體聲波諧(xie)振(zhen)器”),或者帶有(you)布(bu)拉格反射鏡(jing)(SMR“固態裝配(pei)型諧(xie)振(zhen)。
基于CMOS工藝的高性能射頻濾波器:體聲波濾波器BAW_百度文庫
該傳(chuan)感器(qi)是混合型諧振無源諧振結構(gou),其可以(yi)在制造(zao)過(guo)程(cheng)中被集成于車(che)輛地(di)面連接裝置(zhi)HBAR"高模薄膜體聲波諧振器(qi)"),或者帶有布拉格反射(she)鏡(SMR"固態裝配型諧振器(qi)"。
院機構知識庫網格(CASIRGRID):MEMS射頻薄膜體聲波諧振器(
2010年6月16日-[0020]壓電薄(bo)膜(mo)諧(xie)振(zhen)器(qi)包括FBAR型(xing)和SMR型(xing),其(qi)中FBAR是薄(bo)膜(mo)體(ti)聲波諧(xie)振(zhen)器(qi)(Film-BulkAcousticResonator)的縮寫(xie),以(yi)及(ji)SMR是固態安(an)裝(zhuang)諧(xie)振(zhen)器(qi)(SolidlyMounted。
CN1845453A-Acousticresonatorperformanceenhancement
2005年10月5日-將上述壓電薄(bo)膜諧(xie)(xie)振器(qi)分為兩種類型,FBAR(薄(bo)膜腔聲諧(xie)(xie)振器(qi))和SMR(固態裝配諧(xie)(xie)振器(qi))。Theabovepiezoelectricthinfilmresonatorisdividedinto。
薄膜諧振器技術概述_百度文庫
[0003]壓(ya)電薄(bo)膜諧振(zhen)(zhen)器(qi)可分(fen)成FBAR(薄(bo)膜塊體(ti)聲波(bo)諧振(zhen)(zhen)器(qi))型和SMR(固態裝配諧振(zhen)(zhen)器(qi),solidlymountedresonator)型。FBAR具(ju)有(you)由(you)上部電極、壓(ya)電膜和下部電極構成的。