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一種用(yong)四氯(lv)化硅與液(ye)氨(an)在(zai)有機溶劑界面反應生(sheng)成硅亞(ya)胺,然(ran)后將(jiang)其加熱分(fen)解(jie)制得氮化硅粉末的(de)方(fang)法及設備,其特。
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氮化硅的生產工藝|氮化硅制備加工技術
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101136305納(na)米級(ji)氮化(hua)硅復合(he)(he)(he)材料發熱(re)體及(ji)(ji)制(zhi)作工藝(yi)[摘要]本發明是對氮化(hua)硅發熱(re)$902158760低(di)壓燃燒合(he)(he)(he)成氮化(hua)硅或氮化(hua)硅鐵的方法及(ji)(ji)設備(bei)[摘要]低(di)壓燃燒合(he)(he)(he)成。
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22.氮(dan)化硅(gui)(gui)(gui)發熱(re)體(ti)及(ji)其制(zhi)造(zao)方法23.氮(dan)化硅(gui)(gui)(gui)發熱(re)裝置(zhi)24.氮(dan)化硅(gui)(gui)(gui)粉(fen).其燒結(jie)體(ti).基板(ban).及(ji)由此的電路板(ban)和熱(re)電元件模(mo)塊25.氮(dan)化硅(gui)(gui)(gui)粉(fen)末的制(zhi)造(zao)方法26.氮(dan)化硅(gui)(gui)(gui)粉(fen)末的制(zhi)造(zao)方法及(ji)設備。
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25氮(dan)化(hua)硅(gui)(gui)粉(fen)末(mo)的制造方法26氮(dan)化(hua)硅(gui)(gui)粉(fen)末(mo)的制造方法及(ji)設(she)備27氮(dan)化(hua)硅(gui)(gui)粉(fen)體α相轉相裝置28氮(dan)化(hua)硅(gui)(gui)工(gong)程陶瓷燒結新(xin)工(gong)藝29氮(dan)化(hua)硅(gui)(gui)和碳化(hua)硅(gui)(gui)一維納米結構及(ji)其制備方法。
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一種(zhong)制造(zao)高純度超細氮化硅的(de)方法及(ji)設備,其特征是硅烷和氨氣的(de)氣相化學反(fan)應是在立式雙溫區流態反(fan)應器3中(zhong)進行(xing),該反(fan)應器流態床(chuang)底部(bu)設有不銹(xiu)鋼制造(zao)的(de)分(fen)配板31,載體(ti)。
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[圖(tu)文(wen)]25、氮化(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)粉末的制(zhi)造方法26、氮化(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)粉末的制(zhi)造方法及設(she)備(bei)27、氮化(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)粉體(ti)α相轉(zhuan)相裝置28、氮化(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)工程陶瓷燒(shao)結(jie)新工藝29、氮化(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)和(he)碳化(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)一維納米結(jie)構及其制(zhi)備(bei)方法30。
氮化硅的生產方法-《無機鹽工業》1987年03期
氮(dan)化(hua)硅的(de)生產方法劉佩珠摘要:正本介紹的(de)Si_3N_4的(de)生產方法如下:采(cai)用固體二硫化(hua)硅與氣態氨反應,溫度控制在800～1450℃,回(hui)收無定形(xing)Si_3N_4。。
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在亞(ya)微米的生(sheng)產制造技(ji)術中,氮(dan)化硅工藝的particle已(yi)經(jing)成為(wei)產品良率的主(zhu)要影響因素。本文主(zhu)要針對立(li)式LPCVD氮(dan)。
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經營模(mo)式(shi):生產加工聯系人:童國松電(dian)話:0571-86603302傳真:0571-8660330654、一種(zhong)造粒燃燒合成氮(dan)化(hua)硅的生產方法(fa)55、氮(dan)化(hua)硅粉末的制造方法(fa)及(ji)設備(bei)56。
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2012年9月19日(ri)-2CN02100873.6一種制造(zao)(zao)電池的燒(shao)結鎘負(fu)極(ji)的方法(fa)及其制造(zao)(zao)產(chan)品(pin)3CN70CN86100384氮(dan)化硅工(gong)程陶瓷(ci)燒(shao)結新工(gong)藝71CN86106840熱窯燒(shao)結設備與。
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[圖(tu)文]摘(zhai)要(yao):摘(zhai)要(yao):研(yan)究了(le)等離子增(zeng)強化(hua)(hua)學氣相淀積(PECVD)工(gong)藝中射頻條件(功率和(he)頻率)對氮化(hua)(hua)硅(gui)薄(bo)膜(mo)應(ying)力(li)的影響(xiang)。對于不同(tong)射頻條件下(xia)薄(bo)膜(mo)的測試結果表明:低頻(LF)時氮化(hua)(hua)硅(gui)。
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氮(dan)化(hua)硅(gui)(gui)收集平臺,涉及多晶硅(gui)(gui)生(sheng)產設備領域,尤其是(shi)涉及多晶硅(gui)(gui)生(sheng)產中氮(dan)化(hua)硅(gui)(gui)的收集臺,一種移除氮(dan)化(hua)硅(gui)(gui)層的方(fang)法,此方(fang)法系首(shou)先(xian)提供一晶圓(yuan),其中晶圓(yuan)上已形成有一氮(dan)化(hua)硅(gui)(gui)層。
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7-BG520氮(dan)(dan)(dan)化(hua)硅(gui)只讀存儲器的結(jie)構(gou)與制造(zao)方(fang)法(fa)8-BG520低壓燃燒(shao)合成氮(dan)(dan)(dan)化(hua)硅(gui)或氮(dan)(dan)(dan)化(hua)硅(gui)鐵的方(fang)法(fa)及設備9-BG520利用(yong)原(yuan)子層沉(chen)積(ji)法(fa)形(xing)成氮(dan)(dan)(dan)化(hua)硅(gui)間隙壁的方(fang)法(fa)10-BG520密(mi)封。
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[圖文]本文主(zhu)要針對立式LPCVD氮化(hua)硅爐管的(de)氮化(hua)硅制造工(gong)藝(yi)中所遇到particle問題進(jin)行研究。通過(guo)大(da)量的(de)對比性(xing)實(shi)驗(yan)進(jin)行排查與分析,并利用各種先進(jin)的(de)實(shi)驗(yan)的(de)設備和器材(cai)找到產生(sheng)。
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第四節主(zhu)要生產設備情(qing)況(kuang)介紹第四章(zhang)2011-2013年(nian)中國碳(tan)化硅(gui)(gui)結(jie)(jie)合氮化硅(gui)(gui)磚市場圖(tu)(tu)表(biao):碳(tan)化硅(gui)(gui)結(jie)(jie)合氮化硅(gui)(gui)磚理(li)化性質(zhi)一(yi)覽圖(tu)(tu)圖(tu)(tu)表(biao):碳(tan)化硅(gui)(gui)結(jie)(jie)合氮化硅(gui)(gui)磚生產工(gong)藝流程(cheng)。
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河南科技大學畢業設計(論文)I噴(pen)涂(tu)工藝對氮(dan)化硅涂(tu)層品質的影響摘要鑄造因此容易在制(zhi)造工藝中受石英、石墨(mo)、設備(bei)以及管道等的沾污。坩堝的使(shi)用一方面提高。
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通(tong)過幾(ji)年不斷技術(shu)創新,工藝優化,積累了(le)豐富的氮化合金生(sheng)產(chan)經(jing)驗(yan)。公司擁有三個生(sheng)產(chan)車間,十(shi)幾(ji)臺國內先進的氮化物產(chan)品(pin)生(sheng)產(chan)設(she)備,建立了(le)完發聯系信(xin)合肥開爾(er)納(na)米。
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本廠以“業潤社會”為經營(ying)理(li)念,憑(ping)著國內的生產設備,全體(ti)員(yuan)工努力(li)進(jin)取,銳意采用(yong)先進(jin)的氣(qi)壓、熱等靜壓燒(shao)結工藝(yi),批量生產氮化硅(Si3N4)、氧化鋯(ZrO2)。
畢業設計(論文)-噴涂工藝對氮化硅涂層品質的影響-豆丁網
技(ji)術難題:1.生產氮(dan)化硅錳從技(ji)術上(shang)采用普通硅錳和普通硅鐵作為原料(liao),工藝上(shang)采用物料(liao)5.所用的臥式(shi)推(tui)板(ban)窯等加(jia)(jia)熱設(she)備(bei)利(li)用電感應(ying)加(jia)(jia)熱方(fang)式(shi),在微(wei)正壓下工作,省去了(le)真空。
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公司簡介(jie)北京金(jin)海虹氮化硅有限公司是高(gao)新(xin)技(ji)術(shu)企業,開發、生(sheng)(sheng)產高(gao)技(ji)術(shu)氮化硅結合先進的(de)(de)生(sheng)(sheng)產設備,獨特的(de)(de)生(sheng)(sheng)產工(gong)藝,完善的(de)(de)檢測手段,科(ke)學的(de)(de)管(guan)理(li)體系(xi),2005年5月獲得。
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你可(ke)能要查找:陶瓷(ci)生產(chan)加工機(ji)械機(ji)械及行業設備詳細信息產(chan)品規格:產(chan)品數量用這種現(xian)代先進(jin)工藝制(zhi)成的特種陶瓷(ci)產(chan)品具有密度(du)高且均勻,尺寸精度(du)高等優點。氮化硅。
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北京金海虹(hong)氮(dan)化(hua)硅有(you)限(xian)公司簡介北京金海虹(hong)氮(dan)化(hua)硅有(you)限(xian)公司自主研發、生產(chan)高科技材料‘氮(dan)化(hua)硅結(jie)合碳化(hua)硅制品(pin)’,以獨特的制造工藝于(yu)國(guo)內外同行(xing)業水(shui)平(ping),為有(you)色(se)金屬行(xing)業。
北京金海虹氮化硅有限公司公司介紹-007商務站-全球網上貿易平臺
高純氮化(hua)硅(gui)粉(fen)體(ti)(用(yong)于晶硅(gui)生產坩堝噴涂粉(fen)末)使用(yong)方(fang)法發布日期:2011-11-01分離設(she)備物性測試儀器(qi)生命科學儀器(qi)實驗箱(xiang)(xiang)體(ti)/安全箱(xiang)(xiang)水質(zhi)、水分檢(jian)測。
高性能氮化硅結構陶瓷-陶瓷生產加工機械|機械及行業設備–大豆
制作(zuo)燒結鋁礬土粉的(de)設備《礬土技術(shu)分析鋁礬土,均勻度,氮(dan)化(hua)硅,反應催化(hua)劑,剛(gang)玉陶瓷,》43-BG192114一種變截(jie)面隧道(dao)窯煅燒高鋁礬土的(de)方法44-BG192114礬土面礦脫水。
北京金海虹氮化硅有限公司-企業介紹-全球五金網
,經過(guo)多年的(de)研制(zhi)、創新(xin),研發(fa)出全新(xin)的(de)陶(tao)瓷(ci)配方以及一體(ti)(ti)化高純氮(dan)化硅陶(tao)瓷(ci)生產(chan)工藝。高純氮(dan)化硅陶(tao)瓷(ci)熱面發(fa)熱體(ti)(ti)燃(ran)氣設備用熱面發(fa)熱體(ti)(ti)高純氮(dan)化硅陶(tao)瓷(ci)電熱塞(sai)柴油。
高純氮化硅粉體(用于晶硅生產坩堝噴涂粉末)使用方法-阿凡達-全國
并提出了對比分析(xi)的方法,在通(tong)過(guo)專業設備檢測的基礎上對成品球(qiu)球(qiu)度、表面粗(cu)糙度研(yan)究結果表明(ming),氮化硅陶瓷(ci)球(qiu)能夠批(pi)量生產且球(qiu)度達到0.062μm以下(xia),表面粗(cu)糙度達到。
制作燒結鋁礬土粉的設備-研發與制造
反(fan)應燒結工(gong)藝生產(chan)的氮(dan)化硅使用壽命很短,材(cai)料存在很多氣孔,長期鋁液會滲入;抗熱(re)震用于冶(ye)金、化工(gong)、紡織、印刷、包裝、食品機械、電爐設備、電力容器、變壓器等。
高純氮化硅陶瓷坩堝|耐腐蝕耐高溫氮化硅陶瓷坩堝-長沙華晟科貿
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高精度氮化硅陶瓷球批量加工研磨工藝研究-維普網-倉儲式在線
種更可(ke)靠的(de)(de)半導體裝置和顯(xian)示裝置的(de)(de)高產量制造技術且(qie)未使用(yong)于(yu)制造的(de)(de)設(she)備和方法作(zuo)為在有機(ji)(ji)化(hua)合物(wu)中所含的(de)(de)無機(ji)(ji)材料,可(ke)以使用(yong)氧(yang)化(hua)硅、氮(dan)化(hua)硅、氧(yang)氮(dan)化(hua)硅、氮(dan)。
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經營(ying)(ying)模式:生產(chan)廠家主營(ying)(ying)產(chan)品:氮化(hua)金屬粉末(mo)特種合(he)金焊條粉劑合(he)金粉工(gong)(gong)商公司運用自己的科研成(cheng)果,采用先進的設(she)備(bei)和工(gong)(gong)藝技術進行各類(lei)高純硅精細化(hua)加。