金屬氧化物及碳化硅避雷器對陡波頭長波電流脈沖的響應-《電瓷
金(jin)屬氧化(hua)(hua)物碳化(hua)(hua)硅避雷器電力(li)電纜(lan)電壓(ya)響應過沖保(bao)護(hu)性能(neng)殘壓(ya)測試(shi)回路相(xiang)近似電流脈沖。
脈沖激光退火納米碳化硅的光致發光-豆丁網
2005脈沖激(ji)光退火納米(mi)碳化硅的光致發(fa)(fa)光于威(wei),何杰,孫運濤,韓理(li),在電(dian)流激(ji)發(fa)(fa)方面存在較大困難,因此對碳化硅發(fa)(fa)光材料的制(zhi)備及發(fa)(fa)光特性進行分(fen)析(xi)對。
脈沖電沉積納米鎳一碳化硅復合鍍層的性能_百度文庫
河北大學(xue)碩士學(xue)位論(lun)文(wen)納米碳化硅(gui)的(de)(de)(de)脈沖激光燒蝕(shi)沉(chen)積及(ji)其光學(xue)特性研究姓名:孫(sun)運濤(tao)(JFET,可達到電流水平(ping)400mA/mm,電導(dao)的(de)(de)(de)指標lOOmS/mm)以及(ji)用(yong)6H—SiC制作的(de)(de)(de)金屬。
納米碳化硅的脈沖激光燒蝕沉積及其光學特性研究-碩士論文-道
2008年5月9日-1998年已有頻率1.3GHz,脈沖輸(shu)出功(gong)(gong)率400W的(de)報(bao)道[;。2.2碳化(hua)硅功(gong)(gong)率雙極(ji)與碳化(hua)硅功(gong)(gong)率MOS相(xiang)比,對3000V以(yi)上的(de)阻斷電壓,其(qi)通態電流(liu)密度可以(yi)高出幾個。
碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題
[圖(tu)文]2007年5月28日-從而(er)具(ju)有非常高(gao)(gao)的(de)浪涌(yong)電(dian)流(liu)承受(shou)能力和穩定的(de)過(guo)(guo)壓(ya)中的(de)PFC級(ji)應用在瞬時(shi)脈沖和過(guo)(guo)壓(ya)狀態下具(ju)有更高(gao)(gao)利用具(ju)有獨特性能的(de)碳化(hua)硅作為(wei)器件材料,能制造出。
適合各種電源應用的碳化硅肖特基二極管-應用-電子工程世界網
高頻(pin)(pin)脈沖(chong)電鍍(du)Ni-Co-SiC耐(nai)蝕性耐(nai)磨性陽極(ji)極(ji)化結構研究了電源(yuan)頻(pin)(pin)率、占(zhan)空比(bi)、陰極(ji)電流(liu)密度(du)及(ji)鍍(du)液中鈷1袁逖(ti);高頻(pin)(pin)脈沖(chong)電沉積鎳鈷碳化硅(gui)鍍(du)層耐(nai)蝕性耐(nai)磨。
高頻脈沖電沉積鎳鈷碳化硅鍍層耐蝕性耐磨性的研究-《北京交通
正采用60m長(chang)的(de)(de)138kV電力電纜產(chan)生的(de)(de)幾十萬伏、2萬安以上的(de)(de)電流、波頭時間約50ns的(de)(de)脈沖。被試(shi)品為9kV金屬氧化(hua)物(wu)及碳化(hua)硅避雷器。避雷器的(de)(de)電壓響應包括陡的(de)(de)過沖電壓。
碳化硅避雷器-學術百科-知網空間
2013年1月30日(ri)-美(mei)國陸軍研究(jiu)人(ren)員正在(zai)向行業尋求開發進的碳化硅(SiC)半導體功率電子技術(shu)種高(gao)等級配置的高(gao)壓(ya)開關,脈沖電壓(ya)15000V,小電壓(ya)10000V,電流(liu)峰值(zhi)30A,。
美國陸軍尋求下一代碳化硅軍用高壓開關設備-中新網
采用XeCl準分子脈沖激(ji)光(guang)退(tui)火技(ji)術制備(bei)了納米(mi)晶態碳化硅(gui)薄(bo)膜(mo)(nc—SiC),并對薄(bo)膜(mo)的光(guang)致發光(guang)(PL)特性進行(xing)了分析。結果表明,納米(mi)SiC薄(bo)膜(mo)的光(guang)致發光(guang)表現為(wei)300-600nm.范圍。
脈沖激光退火納米碳化硅的光致發光
[圖文]V為(wei)(wei)驅(qu)動脈(mo)沖電(dian)(dian)壓(ya),驅(qu)動電(dian)(dian)流(liu)為(wei)(wei)脈(mo)沖電(dian)(dian)流(liu).V為(wei)(wei)驅(qu)動脈(mo)沖電(dian)(dian)壓(ya),驅(qu)動電(dian)(dian)流(liu)為(wei)(wei)脈(mo)沖電(dian)(dian)流(liu).收藏此頁(ye)推(tui)薦給好(hao)友09-23[技(ji)術資(zi)訊]碳化硅在(zai)高溫范圍(wei)內具有低(di)開關損耗的(de)MOSFE。
紅外發光二極管的直流脈沖電流驅動_電路圖-華強電子網
[圖文(wen)]這種(zhong)(zhong)改進的過壓和浪涌(yong)電流能(neng)力可以使(shi)二極(ji)管的壓力減(jian)小,使(shi)應(ying)用具有更高的可靠性。SiC肖特基(ji)二極(ji)管——適合(he)各(ge)種(zhong)(zhong)供電條件(jian)(jian)的解(jie)決(jue)方案利用具有獨特性能(neng)的碳化硅作為(wei)器件(jian)(jian)。
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論文天下提(ti)供的<高(gao)頻脈沖電沉積鎳鈷碳(tan)化硅(gui)鍍層耐(nai)(nai)蝕性耐(nai)(nai)磨性的研究;論文包括(kuo)高(gao)頻脈沖電鍍Ni-Co-SiC耐(nai)(nai)蝕性耐(nai)(nai)磨性陽(yang)極(ji)極(ji)化結構等(deng)其他相關內容論文。
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諸(zhu)暨市特耐工程(cheng)陶瓷有限公司(si)碳(tan)化硅脈沖類(lei)型:脫硫(liu)除(chu)(chu)塵器(qi)林(lin)格(ge)曼黑度:3級品牌:帕特納型號:碳(tan)化硅噴嘴脫硫(liu)率(lv)(lv):97(%)除(chu)(chu)塵率(lv)(lv):96(%)阻力損失:-(Pa),環球貿易網為您(nin)提(ti)供。
脈沖激光退火納米碳化硅薄膜的拉曼散射研究RamanSpectraof
2010年8月17日-0405SC-2200M碳化(hua)(hua)硅晶(jing)體管(guan),射頻峰(feng)值功率達2200瓦(wa),可用(yong)于大功率超高頻脈沖(chong)系統的另一些(xie)優點包(bao)括(kuo)簡(jian)化(hua)(hua)阻抗匹配,125伏(fu)的操(cao)縱(zong)電壓(ya),低電導電流,高峰(feng)值。
碳化硅脈沖
溫度脈沖(chong)方法制備(bei)碳(tan)/碳(tan)化硅復合材料界面的微觀結構(gou)與性能(neng)研究(jiu)袁明,黃政(zheng)仁,董紹明,朱云洲,江東亮中國科學院上海(hai)硅酸鹽研究(jiu)所,上海(hai)200050。
Microsemi公司推出用于大功率超高頻脈沖雷達的碳化硅晶體管_兵器
河北大學(xue)碩(shuo)士學(xue)位論文納(na)米碳化(hua)硅的(de)脈沖(chong)激光燒蝕(shi)沉積及其(qi)光學(xue)特性研究姓名:孫運濤申請學(xue)位級別:碩(shuo)士專業:光學(xue)指導教師:于威20030101摘要本工作(zuo)采用脈沖(chong)激光。
溫度脈沖方法制備碳/碳化硅復合材料界面的微觀結構與性能研究
2013年1月30日-美(mei)國陸軍研究人(ren)員正在(zai)向行業尋(xun)求開(kai)發進(jin)的碳化硅(SiC)半導體功率電子技術(shu)種高(gao)等(deng)級配(pei)置(zhi)的高(gao)壓開(kai)關,脈沖電壓15000V,小電壓10000V,電流(liu)峰(feng)值30A,。
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[圖文(wen)]從而(er)具有(you)非常高的浪涌(yong)電流承受能(neng)力和(he)穩定的過壓特性(xing)。網中的PFC級應(ying)用(yong)在(zai)瞬時脈沖和(he)過壓狀(zhuang)態(tai)下具有(you)更高的利用(yong)具有(you)獨特性(xing)能(neng)的碳化(hua)硅作為器件材料,能(neng)制造出接近(jin)。
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通(tong)過(guo)(guo)激光脈(mo)沖(chong)波(bo)形(xing)與光電(dian)流(liu)脈(mo)沖(chong)波(bo)形(xing)的比較,估(gu)算出2種光導開關的載流(liu)子壽命和載流(liu)子的基(ji)礎上改進設計,研制出了工作電(dian)壓超過(guo)(guo)10kV、工作電(dian)流(liu)超過(guo)(guo)90A的碳化硅光導。
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影響碳化硅光導開關小導通電阻的因素-論文摘要-中國光學期刊網
2008年9月26日-這些測試包(bao)括使用1祍脈沖(chong),開關時間比為1000,在“開”狀態驅(qu)動電流是100本文(wen)鏈接:碳(tan)化硅(gui)電子:全(quan)球協會提倡(chang)SiC高頻PI:/news。
碳化硅脈沖除塵設備_碳化硅脈沖除塵設備價格_碳化硅脈沖除塵
[圖文]GaN器件包含五(wu)項(xiang)重要特征:高介電強度、高工作溫度、大電流密度、高開關速度,如(ru)何在高效(xiao)脈(mo)沖(chong)跳(tiao)頻(pin)模式下選擇輸出濾波(1)智能(neng)電視前(qian)進路上的三座。
碳化硅袋式脈沖除塵器技術,脈沖除塵設備美化高手-選礦設備_買賣
1200V增強(qiang)型碳(tan)化(hua)硅縱向結型場效應(ying)晶體(ti)管(guan)功率模塊《電力電子(zi)》2011年第4期開關測試采用了標準的雙脈沖感性負載(zai)電路,在600V、100A、溫度分別(bie)為25℃和150。
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阿里巴巴大量供應(ying)碳(tan)化(hua)硅超細磨(mo)(mo)碳(tan)化(hua)硅專(zhuan)用(yong)磨(mo)(mo)碳(tan)化(hua)硅微粉(fen)磨(mo)(mo)脈(mo)沖(chong)除塵器-金屬硅磨(mo)(mo)粉(fen),,這里云集(ji)了(le)眾(zhong)多的(de)供應(ying)商,采購商,制(zhi)造商。這里大量供應(ying)碳(tan)化(hua)硅超細磨(mo)(mo)碳(tan)化(hua)硅專(zhuan)用(yong)磨(mo)(mo)。
硅氮化鎵碳化硅如何為功率設計尋找的工藝和供應商(2)-
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1200V增強型碳化硅縱向結型場效應晶體管功率模塊-維普網-倉儲
[圖文]2012年(nian)4月16日(ri)-既能滿足電子模(mo)塊的正常工作電流(圖1中的If),也能承受ISO7637-2脈沖[新品(pin)快訊]美高森美推(tui)出碳化硅(SiC)材料(liao)和技(ji)術的全新1200V肖特基二極管(guan)。
碳化硅超細磨|碳化硅專用磨|碳化硅微粉磨|脈沖除塵器-金屬硅磨粉_
[圖文]標(biao)簽:600509石墨(mo)烯碳化硅背(bei)景資料老孟股票具有(you)電(dian)荷這(zhe)種性質(zhi),電(dian)荷的傳導能夠形成電(dian)流(liu)并成為電(dian)子(zi)采用脈(mo)沖電(dian)子(zi)輻(fu)照技術在SiC基底上外延石墨(mo)烯是我們。
綠碳化硅脈沖除塵器工作原理,脈沖除塵器發展適生_鄭州嵩陽
二(er):電(dian)流互(hu)感器(qi)保(bao)護(hu)用(yong)(yong)于保(bao)護(hu)電(dian)流互(hu)感器(qi)即CTPU.典型應用(yong)(yong)于互(hu)感器(qi)二(er)次過(guo)壓保(bao)護(hu),此類電(dian)阻片的(de)靈活性(xing)使其(qi)得到廣范應用(yong)(yong),可用(yong)(yong)于熒光(guang)燈的(de)尖(jian)峰脈沖抑制(直徑(jing)為26mm的(de)。
ISO7637-2脈沖3b-根據雪崩性能選擇肖特基二極管-電子發燒友網
(3)從損壞(huai)的避雷器閥(fa)片來看,這些避雷器的閥(fa)片所(suo)用的碳化硅比較(jiao)松散(san),多半(ban)是這根電(dian)線有(you)脈沖電(dian)流渡(du)過,這時,測定在配電(dian)線路(lu)的導體上感應的電(dian)壓(ya)波形(xing)。相應的。
600509:石墨烯碳化硅項目的背景資料_孟利寧_新浪博客
2013年8月21日-尤其是碳化(hua)硅微粉磨的生產加工中,粉塵(chen)外泄(xie)問題為嚴重,上(shang)海卓(zhuo)亞礦山機械有限(xian)公司研究者為其進行(xing)相應的分析與設備的改造實(shi)驗(yan),終(zhong)得出使用脈沖(chong)除塵(chen)器的。
M&I碳化硅非線性放電電阻_電子元器件_電阻器_壓敏電阻器_產品庫_
[圖(tu)文(wen)]2011年8月(yue)4日-現在還有許多公司在用不同的(de)基底(如藍(lan)寶石和(he)碳化硅)生產GaNLED,這些LED該電路的(de)基本功能是產生低頻、快速、大功率驅動電流脈沖(chong)信號,輸(shu)出(chu)脈沖(chong)的(de)。
什么是工頻電流?工頻是什么意思?_工程_技術_科技_機械_天涯問答
2013年(nian)7月22日-1998年(nian)已有頻率1.3GHz,脈沖輸出(chu)功(gong)率400W的報道[;。2.2碳化(hua)硅功(gong)率雙極(ji)開發碳化(hua)硅BJT的主要問題是提高電流增(zeng)益。早期6H-SiCBJT的電流增(zeng)益只(zhi)有10。
碳化硅微粉磨應用脈沖除塵器凈化環境效果好
脈沖袋式除塵器,分號(hao)機,粉碎(sui)機,氣流磨,青島精華(hua)PZ粉碎(sui)機的(de)用途及適應范圍:化(hua)工等物科(ke)的(de)粉碎(sui),尤其(qi)適用于碳(tan)化(hua)硅、剛玉、石(shi)(shi)(shi)英、烙煉石(shi)(shi)(shi)英、石(shi)(shi)(shi)餾石(shi)(shi)(shi)等物科(ke)的(de)粉碎(sui)。
詳解大功率藍光LED光源驅動電路設計方案-中國LED網資訊
碳化硅顆(ke)粒化學(xue)鍍鎳(nie)對鐵基(ji)復(fu)合材料性(xing)能的影響張躍波1,宗亞平1,曹新建1,張龍21.東北大(da)學(xue)材料各向(xiang)異(yi)性(xing)與織構(gou)教育部實驗室(shi)沈(shen)陽1108192.金策工業綜合。