金屬氧化物及碳化硅避雷器對陡波頭長波電流脈沖的響應-《電瓷
金屬氧化(hua)物碳(tan)化(hua)硅避雷器電力電纜電壓響應過(guo)沖(chong)保護(hu)性能殘壓測試回路相近似電流脈沖(chong)。
脈沖激光退火納米碳化硅的光致發光-豆丁網
2005脈沖激(ji)光退火(huo)納米碳化(hua)(hua)硅的光致(zhi)發(fa)光于威,何杰,孫運(yun)濤,韓(han)理,在(zai)電流激(ji)發(fa)方面存在(zai)較大困(kun)難,因此對碳化(hua)(hua)硅發(fa)光材料的制備及發(fa)光特性進行分析對。
脈沖電沉積納米鎳一碳化硅復合鍍層的性能_百度文庫
河北大學碩士學位(wei)論文納米碳化硅的(de)脈沖激(ji)光燒(shao)蝕沉積(ji)及(ji)其光學特性研(yan)究姓名:孫運濤(JFET,可達到電(dian)流水(shui)平400mA/mm,電(dian)導的(de)指標lOOmS/mm)以及(ji)用(yong)6H—SiC制作的(de)金(jin)屬。
納米碳化硅的脈沖激光燒蝕沉積及其光學特性研究-碩士論文-道
2008年5月9日-1998年已有頻率1.3GHz,脈沖輸出功(gong)(gong)率400W的報(bao)道(dao)[;。2.2碳化硅功(gong)(gong)率雙極與碳化硅功(gong)(gong)率MOS相比,對3000V以(yi)上的阻斷電(dian)壓,其通態電(dian)流密(mi)度可以(yi)高出幾個。
碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題
[圖文]2007年5月(yue)28日(ri)-從而具(ju)(ju)有非(fei)常高的(de)浪涌電流承受(shou)能力(li)和(he)穩定(ding)的(de)過壓中的(de)PFC級應用在瞬時(shi)脈沖和(he)過壓狀態下具(ju)(ju)有更高利用具(ju)(ju)有獨特(te)性(xing)能的(de)碳(tan)化硅作為器件材料,能制造出。
適合各種電源應用的碳化硅肖特基二極管-應用-電子工程世界網
高(gao)頻(pin)脈(mo)沖電鍍(du)Ni-Co-SiC耐蝕性(xing)耐磨性(xing)陽極極化(hua)結構研究(jiu)了(le)電源頻(pin)率、占(zhan)空比(bi)、陰極電流密(mi)度及鍍(du)液中鈷1袁逖(ti);高(gao)頻(pin)脈(mo)沖電沉積(ji)鎳鈷碳(tan)化(hua)硅鍍(du)層耐蝕性(xing)耐磨。
高頻脈沖電沉積鎳鈷碳化硅鍍層耐蝕性耐磨性的研究-《北京交通
正采用60m長的(de)138kV電力電纜產(chan)生的(de)幾(ji)十萬(wan)伏、2萬(wan)安以上的(de)電流、波頭時(shi)間約50ns的(de)脈沖(chong)。被試品為9kV金屬氧化(hua)物及碳(tan)化(hua)硅避雷器。避雷器的(de)電壓響應包括陡的(de)過沖(chong)電壓。
碳化硅避雷器-學術百科-知網空間
2013年1月(yue)30日-美國陸軍研究人員正在向(xiang)行業尋(xun)求開發進(jin)的碳化硅(SiC)半(ban)導(dao)體功率電(dian)子技術種高等級配置的高壓開關,脈(mo)沖(chong)電(dian)壓15000V,小電(dian)壓10000V,電(dian)流峰(feng)值30A,。
美國陸軍尋求下一代碳化硅軍用高壓開關設備-中新網
采用XeCl準分(fen)子脈沖激光退火(huo)技術制備了納(na)米(mi)(mi)晶態碳(tan)化硅薄(bo)膜(mo)(nc—SiC),并對薄(bo)膜(mo)的光致發(fa)光(PL)特性進行了分(fen)析(xi)。結果(guo)表明,納(na)米(mi)(mi)SiC薄(bo)膜(mo)的光致發(fa)光表現為300-600nm.范圍(wei)。
脈沖激光退火納米碳化硅的光致發光
[圖文]V為驅(qu)(qu)動(dong)(dong)脈沖電壓,驅(qu)(qu)動(dong)(dong)電流(liu)為脈沖電流(liu).V為驅(qu)(qu)動(dong)(dong)脈沖電壓,驅(qu)(qu)動(dong)(dong)電流(liu)為脈沖電流(liu).收藏此頁(ye)推薦(jian)給(gei)好友(you)09-23[技(ji)術資訊(xun)]碳化硅在高溫(wen)范圍內具有低開(kai)關損耗的MOSFE。
紅外發光二極管的直流脈沖電流驅動_電路圖-華強電子網
[圖(tu)文]這(zhe)種(zhong)改進(jin)的過壓和浪涌電流能(neng)力可(ke)以使(shi)二極(ji)管的壓力減小,使(shi)應用具有更高的可(ke)靠性(xing)。SiC肖(xiao)特基二極(ji)管——適合各種(zhong)供電條件的解(jie)決方案(an)利用具有獨特性(xing)能(neng)的碳(tan)化硅作為器件。
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論文(wen)天下(xia)提供的<高頻脈(mo)沖電沉積鎳鈷碳(tan)化(hua)硅鍍層耐(nai)蝕(shi)性(xing)耐(nai)磨性(xing)的研究;論文(wen)包括高頻脈(mo)沖電鍍Ni-Co-SiC耐(nai)蝕(shi)性(xing)耐(nai)磨性(xing)陽(yang)極極化(hua)結構等其(qi)他相關內容論文(wen)。
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諸(zhu)暨市特耐工程(cheng)陶瓷有限公司碳(tan)化硅脈沖類型:脫(tuo)(tuo)硫除(chu)塵器林格(ge)曼黑(hei)度:3級(ji)品牌:帕特納型號(hao):碳(tan)化硅噴嘴(zui)脫(tuo)(tuo)硫率:97(%)除(chu)塵率:96(%)阻力損(sun)失(shi):-(Pa),環(huan)球貿易網為您提供。
脈沖激光退火納米碳化硅薄膜的拉曼散射研究RamanSpectraof
2010年8月(yue)17日-0405SC-2200M碳化硅晶體管,射頻(pin)峰值功率達2200瓦,可用于大(da)功率超(chao)高(gao)頻(pin)脈(mo)沖系統的另(ling)一(yi)些優點包括(kuo)簡化阻(zu)抗匹配,125伏的操縱電壓,低電導電流,高(gao)峰值。
碳化硅脈沖
溫(wen)度脈沖方法制備碳/碳化硅復合材料界面的微觀結構與性能研究袁明,黃政仁,董紹明,朱云洲,江東亮中國科學(xue)院(yuan)上(shang)海(hai)硅酸(suan)鹽研究所,上(shang)海(hai)200050。
Microsemi公司推出用于大功率超高頻脈沖雷達的碳化硅晶體管_兵器
河北大學(xue)(xue)(xue)碩士(shi)學(xue)(xue)(xue)位(wei)論文納米碳化(hua)硅的脈(mo)沖(chong)激光(guang)燒(shao)蝕沉積及其光(guang)學(xue)(xue)(xue)特(te)性研究姓名(ming):孫運濤申(shen)請學(xue)(xue)(xue)位(wei)級別:碩士(shi)專業:光(guang)學(xue)(xue)(xue)指導教師(shi):于威20030101摘(zhai)要本(ben)工作采用脈(mo)沖(chong)激光(guang)。
溫度脈沖方法制備碳/碳化硅復合材料界面的微觀結構與性能研究
2013年1月(yue)30日-美(mei)國陸軍研(yan)究(jiu)人員正在向(xiang)行業尋求開發(fa)進的碳化硅(gui)(SiC)半導體功率電子技術種(zhong)高等級配置的高壓開關,脈沖電壓15000V,小電壓10000V,電流峰值30A,。
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[圖文]從(cong)而具有非(fei)常高的浪涌電流(liu)承(cheng)受(shou)能(neng)力和穩定的過壓特性。網中的PFC級應用(yong)在瞬時脈(mo)沖(chong)和過壓狀態下具有更高的利(li)用(yong)具有獨特性能(neng)的碳化硅(gui)作為器件材料,能(neng)制(zhi)造出(chu)接近(jin)。
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通過(guo)激光(guang)(guang)脈沖波(bo)形與光(guang)(guang)電流脈沖波(bo)形的(de)比較,估算出(chu)2種(zhong)光(guang)(guang)導(dao)開關的(de)載(zai)(zai)流子壽(shou)命和(he)載(zai)(zai)流子的(de)基(ji)礎上改進(jin)設計,研(yan)制出(chu)了(le)工作(zuo)(zuo)電壓超(chao)過(guo)10kV、工作(zuo)(zuo)電流超(chao)過(guo)90A的(de)碳化(hua)硅(gui)光(guang)(guang)導(dao)。
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影響碳化硅光導開關小導通電阻的因素-論文摘要-中國光學期刊網
2008年9月(yue)26日-這些測試包括(kuo)使用1祍(祍)脈沖,開(kai)關時間比為(wei)1000,在“開(kai)”狀態(tai)驅動電(dian)流是100本文鏈接(jie):碳化(hua)硅電(dian)子:全(quan)球協會提倡SiC高(gao)頻PI:/news。
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[圖文]GaN器件包(bao)含五項重(zhong)要特征:高(gao)介電強度、高(gao)工(gong)作溫(wen)度、大電流密(mi)度、高(gao)開關速度,如何在高(gao)效脈(mo)沖跳(tiao)頻(pin)模式下選擇輸出濾波(1)智能電視(shi)前進路(lu)上(shang)的三座。
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[圖文(wen)]2012年4月16日-既能滿足電(dian)子(zi)模塊的(de)正常(chang)工作電(dian)流(圖1中的(de)If),也(ye)能承受ISO7637-2脈沖[新品快(kuai)訊]美高森美推出碳化硅(SiC)材料和(he)技術的(de)全新1200V肖(xiao)特基二極管。
碳化硅超細磨|碳化硅專用磨|碳化硅微粉磨|脈沖除塵器-金屬硅磨粉_
[圖文(wen)]標(biao)簽:600509石墨(mo)烯(xi)碳化硅背景資(zi)料老孟股票具(ju)有電荷這(zhe)種(zhong)性質,電荷的傳(chuan)導能夠(gou)形成電流并(bing)成為電子采(cai)用脈沖電子輻照技(ji)術在SiC基底(di)上外(wai)延(yan)石墨(mo)烯(xi)是我(wo)們。
綠碳化硅脈沖除塵器工作原理,脈沖除塵器發展適生_鄭州嵩陽
二(er)(er):電(dian)流互感器(qi)保(bao)護(hu)用(yong)于保(bao)護(hu)電(dian)流互感器(qi)即(ji)CTPU.典型應(ying)用(yong)于互感器(qi)二(er)(er)次過壓保(bao)護(hu),此類電(dian)阻片的靈活性使其(qi)得到廣范(fan)應(ying)用(yong),可(ke)用(yong)于熒光燈的尖峰脈沖抑制(直徑(jing)為(wei)26mm的。
ISO7637-2脈沖3b-根據雪崩性能選擇肖特基二極管-電子發燒友網
(3)從損壞的避雷(lei)器閥片來看,這些(xie)避雷(lei)器的閥片所用的碳化硅(gui)比較松散(san),多半是這根電線有脈沖電流渡過,這時,測(ce)定在配電線路的導體上感(gan)應的電壓波形(xing)。相應的。
600509:石墨烯碳化硅項目的背景資料_孟利寧_新浪博客
2013年8月21日-尤其是碳化(hua)硅微(wei)粉磨的生(sheng)產加工(gong)中,粉塵外泄問題(ti)為嚴重(zhong),上海卓(zhuo)亞礦山(shan)機械有限(xian)公(gong)司研究者為其進(jin)行(xing)相應的分析與設(she)備的改造實驗(yan),終(zhong)得出使用脈沖(chong)除塵器的。
M&I碳化硅非線性放電電阻_電子元器件_電阻器_壓敏電阻器_產品庫_
[圖文(wen)]2011年8月4日-現在還有(you)許多公司在用不同的(de)基(ji)(ji)底(di)(如藍寶石和碳化硅(gui))生產(chan)GaNLED,這(zhe)些LED該電路的(de)基(ji)(ji)本(ben)功能是產(chan)生低頻、快速、大功率驅動(dong)電流脈沖信(xin)號(hao),輸出脈沖的(de)。
什么是工頻電流?工頻是什么意思?_工程_技術_科技_機械_天涯問答
2013年(nian)7月22日(ri)-1998年(nian)已(yi)有(you)頻率1.3GHz,脈沖輸出功率400W的報道(dao)[;。2.2碳(tan)化硅功率雙(shuang)極開(kai)發碳(tan)化硅BJT的主要問題是提高電流增(zeng)益。早期6H-SiCBJT的電流增(zeng)益只有(you)10。
碳化硅微粉磨應用脈沖除塵器凈化環境效果好
脈沖袋式除塵器(qi),分號機,粉碎機,氣流磨(mo),青(qing)島精華PZ粉碎機的(de)用(yong)途及適(shi)應(ying)范(fan)圍:化(hua)工等物科的(de)粉碎,尤其適(shi)用(yong)于碳(tan)化(hua)硅、剛(gang)玉(yu)、石(shi)英、烙(luo)煉石(shi)英、石(shi)餾石(shi)等物科的(de)粉碎。
詳解大功率藍光LED光源驅動電路設計方案-中國LED網資訊
碳化硅顆粒化學鍍鎳對鐵基(ji)復合(he)材(cai)料(liao)性能的影響張躍波1,宗亞平1,曹(cao)新建(jian)1,張龍21.東北大學材(cai)料(liao)各向異性與織構教育部(bu)實驗室沈陽(yang)1108192.金策工(gong)業綜合(he)。