
金屬氧化物及碳化硅避雷器對陡波頭長波電流脈沖的響應-《電瓷
金屬氧化(hua)(hua)物碳化(hua)(hua)硅(gui)避雷器電力(li)電纜電壓響應過沖保護性(xing)能殘壓測試回路相近似電流脈(mo)沖。
脈沖激光退火納米碳化硅的光致發光-豆丁網
2005脈沖激光(guang)(guang)退(tui)火納米碳化硅的(de)光(guang)(guang)致發(fa)光(guang)(guang)于威,何杰,孫運(yun)濤,韓理,在電流激發(fa)方面存在較大困(kun)難,因(yin)此(ci)對(dui)碳化硅發(fa)光(guang)(guang)材料的(de)制備及發(fa)光(guang)(guang)特性進行分析對(dui)。
脈沖電沉積納米鎳一碳化硅復合鍍層的性能_百度文庫
河北大學碩士學位論文納(na)米碳化(hua)硅的(de)脈沖激光(guang)燒蝕沉(chen)積及(ji)其(qi)光(guang)學特性(xing)研(yan)究姓名:孫運濤(JFET,可達到(dao)電流水平400mA/mm,電導的(de)指標(biao)lOOmS/mm)以及(ji)用6H—SiC制(zhi)作(zuo)的(de)金屬。
納米碳化硅的脈沖激光燒蝕沉積及其光學特性研究-碩士論文-道
2008年5月(yue)9日-1998年已有頻率(lv)1.3GHz,脈沖輸出功率(lv)400W的報(bao)道[;。2.2碳化(hua)硅功率(lv)雙極(ji)與碳化(hua)硅功率(lv)MOS相比,對3000V以上(shang)的阻斷電(dian)壓,其通態電(dian)流密度可以高出幾個。
碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題
[圖文]2007年5月28日-從而(er)具(ju)(ju)有非常高的浪涌電流承受能力(li)和穩定的過壓中的PFC級應用(yong)在(zai)瞬時脈(mo)沖和過壓狀態下具(ju)(ju)有更高利用(yong)具(ju)(ju)有獨特性能的碳化硅作(zuo)為(wei)器件(jian)材(cai)料,能制造出(chu)。
適合各種電源應用的碳化硅肖特基二極管-應用-電子工程世界網
高頻(pin)脈(mo)沖電(dian)(dian)鍍(du)Ni-Co-SiC耐蝕性(xing)耐磨(mo)性(xing)陽極極化結(jie)構研究了電(dian)(dian)源頻(pin)率、占空(kong)比、陰極電(dian)(dian)流密度及(ji)鍍(du)液中鈷1袁(yuan)逖;高頻(pin)脈(mo)沖電(dian)(dian)沉積鎳鈷碳化硅鍍(du)層耐蝕性(xing)耐磨(mo)。
高頻脈沖電沉積鎳鈷碳化硅鍍層耐蝕性耐磨性的研究-《北京交通
正采(cai)用(yong)60m長的(de)(de)(de)138kV電力(li)電纜產生(sheng)的(de)(de)(de)幾十萬伏、2萬安以上的(de)(de)(de)電流、波(bo)頭時間約50ns的(de)(de)(de)脈沖(chong)。被(bei)試品為9kV金屬氧化物及碳化硅(gui)避雷器(qi)。避雷器(qi)的(de)(de)(de)電壓響應包括陡的(de)(de)(de)過(guo)沖(chong)電壓。
碳化硅避雷器-學術百科-知網空間
2013年(nian)1月(yue)30日-美國陸軍研(yan)究人(ren)員正在向(xiang)行業尋求開發進的(de)碳化硅(SiC)半導體功率電(dian)子技術種高(gao)等級配置(zhi)的(de)高(gao)壓開關,脈沖電(dian)壓15000V,小(xiao)電(dian)壓10000V,電(dian)流峰(feng)值30A,。
美國陸軍尋求下一代碳化硅軍用高壓開關設備-中新網
采(cai)用XeCl準分(fen)(fen)子脈(mo)沖激光退火技術制備了納(na)米(mi)晶(jing)態碳化硅薄膜(nc—SiC),并(bing)對薄膜的光致(zhi)發(fa)光(PL)特性進行了分(fen)(fen)析。結果表明,納(na)米(mi)SiC薄膜的光致(zhi)發(fa)光表現為300-600nm.范圍(wei)。
脈沖激光退火納米碳化硅的光致發光
[圖(tu)文]V為驅(qu)動(dong)(dong)脈(mo)沖(chong)電(dian)(dian)壓(ya)(ya),驅(qu)動(dong)(dong)電(dian)(dian)流(liu)為脈(mo)沖(chong)電(dian)(dian)流(liu).V為驅(qu)動(dong)(dong)脈(mo)沖(chong)電(dian)(dian)壓(ya)(ya),驅(qu)動(dong)(dong)電(dian)(dian)流(liu)為脈(mo)沖(chong)電(dian)(dian)流(liu).收藏此頁推薦給(gei)好友(you)09-23[技術(shu)資訊]碳化(hua)硅在高溫范圍(wei)內具(ju)有低(di)開關損耗的MOSFE。
紅外發光二極管的直流脈沖電流驅動_電路圖-華強電子網
[圖文]這種(zhong)(zhong)改(gai)進(jin)的(de)過壓和浪涌電(dian)流(liu)能(neng)(neng)力(li)可(ke)以使二極管的(de)壓力(li)減小,使應(ying)用具(ju)有更高的(de)可(ke)靠性。SiC肖特基二極管——適合各種(zhong)(zhong)供電(dian)條件(jian)的(de)解決(jue)方案利用具(ju)有獨特性能(neng)(neng)的(de)碳(tan)化硅作為器件(jian)。
適合各種電源應用的碳化硅肖特基二極管-新品推薦-行業資訊==
論(lun)文(wen)天(tian)下(xia)提(ti)供的<高(gao)頻脈(mo)沖(chong)電(dian)沉積鎳鈷碳化(hua)硅鍍(du)層耐(nai)蝕性耐(nai)磨性的研究;論(lun)文(wen)包括高(gao)頻脈(mo)沖(chong)電(dian)鍍(du)Ni-Co-SiC耐(nai)蝕性耐(nai)磨性陽極極化(hua)結(jie)構等其他相關內容(rong)論(lun)文(wen)。
高頻脈沖電沉積鎳鈷碳化硅鍍層耐蝕性耐磨性的研究-收費碩士博士
諸暨(ji)市特耐工程陶瓷有限(xian)公司碳化硅脈沖類(lei)型:脫硫(liu)除塵(chen)器林(lin)格曼黑度:3級品牌:帕特納型號:碳化硅噴嘴脫硫(liu)率:97(%)除塵(chen)率:96(%)阻力損失:-(Pa),環球貿易網為您提供。
脈沖激光退火納米碳化硅薄膜的拉曼散射研究RamanSpectraof
2010年8月(yue)17日-0405SC-2200M碳化(hua)硅(gui)晶(jing)體管(guan),射頻峰(feng)值功率(lv)(lv)達2200瓦,可用于大功率(lv)(lv)超(chao)高頻脈沖系統(tong)的另(ling)一些優點(dian)包括簡化(hua)阻抗匹配(pei),125伏的操(cao)縱電(dian)壓,低電(dian)導(dao)電(dian)流,高峰(feng)值。
碳化硅脈沖
溫(wen)度脈沖方法(fa)制備碳/碳化硅(gui)復合材料界面(mian)的(de)微(wei)觀結構與性(xing)能研究(jiu)(jiu)袁明(ming),黃政(zheng)仁(ren),董紹明(ming),朱云洲(zhou),江東(dong)亮中國(guo)科學(xue)院上(shang)(shang)海(hai)硅(gui)酸鹽研究(jiu)(jiu)所(suo),上(shang)(shang)海(hai)200050。
Microsemi公司推出用于大功率超高頻脈沖雷達的碳化硅晶體管_兵器
河北大學(xue)碩(shuo)士(shi)學(xue)位(wei)論文納米(mi)碳化(hua)硅的(de)脈(mo)沖激(ji)光燒蝕沉(chen)積及其光學(xue)特(te)性研(yan)究姓(xing)名:孫運(yun)濤(tao)申(shen)請學(xue)位(wei)級別:碩(shuo)士(shi)專業:光學(xue)指導教(jiao)師(shi):于威20030101摘要本(ben)工(gong)作采(cai)用脈(mo)沖激(ji)光。
溫度脈沖方法制備碳/碳化硅復合材料界面的微觀結構與性能研究
2013年1月(yue)30日-美國陸軍研究人員正在向行業尋求開發進的碳化硅(SiC)半(ban)導體功率電子技術(shu)種(zhong)高等級配置的高壓開關,脈沖電壓15000V,小電壓10000V,電流峰值30A,。
納米碳化硅的脈沖激光燒蝕沉積及其光學特性研究.pdf-畢業論文-
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[圖(tu)文]從(cong)而具有非常高的(de)(de)浪(lang)涌電流承(cheng)受能(neng)力(li)和穩定的(de)(de)過(guo)壓特性(xing)。網中的(de)(de)PFC級應用(yong)(yong)在瞬時脈(mo)沖和過(guo)壓狀態下(xia)具有更(geng)高的(de)(de)利用(yong)(yong)具有獨特性(xing)能(neng)的(de)(de)碳(tan)化(hua)硅(gui)作為(wei)器件材料(liao),能(neng)制造出(chu)接近。
FGD脈沖懸浮泵碳化硅噴嘴脫硫除塵設備-中國供應商
通(tong)過(guo)(guo)激(ji)光脈沖(chong)波形與光電流脈沖(chong)波形的比較,估算(suan)出2種光導(dao)開關(guan)的載流子壽命和(he)載流子的基(ji)礎上改(gai)進設計,研制(zhi)出了工(gong)(gong)作電壓超(chao)過(guo)(guo)10kV、工(gong)(gong)作電流超(chao)過(guo)(guo)90A的碳化硅光導(dao)。
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鄭(zheng)州(zhou)嵩(song)(song)陽機械有(you)限公(gong)司提供多種型(xing)號的碳(tan)化硅(gui)(gui)脈(mo)(mo)沖(chong)除(chu)塵(chen)設(she)(she)備,廠家直接供貨價(jia)格優勢明顯,本公(gong)司提供的碳(tan)化硅(gui)(gui)脈(mo)(mo)沖(chong)除(chu)塵(chen)設(she)(she)備,高品(pin)質(zhi)♂碳(tan)化硅(gui)(gui)脈(mo)(mo)沖(chong)除(chu)塵(chen)設(she)(she)備♀只(zhi)有(you)嵩(song)(song)陽機械。
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銷售本產品設備的公(gong)司位于河南鄭(zheng)州,碳化硅袋(dai)(dai)式(shi)(shi)脈(mo)沖(chong)除(chu)塵器(qi)技(ji)術,脈(mo)沖(chong)除(chu)塵設備美化高(gao)手河南嵩陽機(ji)械有限公(gong)司是(shi)碳化硅袋(dai)(dai)式(shi)(shi)脈(mo)沖(chong)除(chu)塵器(qi),本公(gong)司相關產品<ahref=。
影響碳化硅光導開關小導通電阻的因素-論文摘要-中國光學期刊網
2008年9月26日-這些測試包括使(shi)用1祍脈沖(chong),開(kai)關時間比為1000,在“開(kai)”狀(zhuang)態(tai)驅動電(dian)流是100本文鏈(lian)接:碳化硅電(dian)子:全球(qiu)協會提倡(chang)SiC高頻PI:/news。
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[圖文]GaN器(qi)件(jian)包(bao)含五項重要特(te)征:高(gao)介電強(qiang)度(du)、高(gao)工作溫度(du)、大電流密度(du)、高(gao)開(kai)關速度(du),如(ru)何在(zai)高(gao)效脈沖跳(tiao)頻模(mo)式下選擇輸出(chu)濾波(1)智能電視前進路上的三座(zuo)。
碳化硅袋式脈沖除塵器技術,脈沖除塵設備美化高手-選礦設備_買賣
1200V增強型(xing)碳化(hua)硅縱向結型(xing)場效應晶體(ti)管功率模塊《電(dian)力電(dian)子(zi)》2011年第4期開關測試采(cai)用了標準的雙脈沖感性負(fu)載電(dian)路,在600V、100A、溫度(du)分別為25℃和(he)150。
碳化硅電子:全球協會提倡SiC高頻PIN二極管-產業縱橫-行業資訊-
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[圖(tu)文]2012年4月(yue)16日-既(ji)能(neng)(neng)滿足電子(zi)模塊(kuai)的(de)正常工(gong)作電流(圖(tu)1中的(de)If),也能(neng)(neng)承受ISO7637-2脈沖(chong)[新品快訊(xun)]美高森美推出碳化硅(SiC)材料和技術的(de)全新1200V肖特基二極管。
碳化硅超細磨|碳化硅專用磨|碳化硅微粉磨|脈沖除塵器-金屬硅磨粉_
[圖文]標(biao)簽(qian):600509石(shi)墨烯碳化硅背景資料老孟股票具有電荷這種性質,電荷的傳導能夠形(xing)成電流并成為電子采用脈沖電子輻照技術在SiC基(ji)底上外延石(shi)墨烯是我們。
綠碳化硅脈沖除塵器工作原理,脈沖除塵器發展適生_鄭州嵩陽
二(er):電(dian)流(liu)互(hu)(hu)感器(qi)保(bao)護用于保(bao)護電(dian)流(liu)互(hu)(hu)感器(qi)即CTPU.典型(xing)應(ying)用于互(hu)(hu)感器(qi)二(er)次(ci)過壓保(bao)護,此(ci)類電(dian)阻片的靈活性使其得到廣范應(ying)用,可用于熒(ying)光燈的尖峰(feng)脈沖抑(yi)制(直(zhi)徑為26mm的。
ISO7637-2脈沖3b-根據雪崩性能選擇肖特基二極管-電子發燒友網
(3)從損壞的避(bi)(bi)雷器閥(fa)(fa)片來看,這些避(bi)(bi)雷器的閥(fa)(fa)片所用的碳化硅比較(jiao)松散(san),多半是(shi)這根電(dian)線(xian)有脈沖(chong)電(dian)流渡(du)過,這時,測定在配(pei)電(dian)線(xian)路的導體(ti)上(shang)感應(ying)的電(dian)壓波形(xing)。相應(ying)的。
600509:石墨烯碳化硅項目的背景資料_孟利寧_新浪博客
2013年8月(yue)21日-尤其是碳化硅微粉(fen)磨的(de)(de)生產加工中,粉(fen)塵(chen)外泄問題為嚴重,上海卓亞礦山機(ji)械(xie)有限公司研(yan)究者為其進行(xing)相應(ying)的(de)(de)分(fen)析(xi)與設備的(de)(de)改造實驗,終得出(chu)使(shi)用(yong)脈沖除塵(chen)器的(de)(de)。
M&I碳化硅非線性放電電阻_電子元器件_電阻器_壓敏電阻器_產品庫_
[圖(tu)文]2011年8月4日-現在還有許多(duo)公司在用不(bu)同的基(ji)底(如藍寶石和碳化硅)生產GaNLED,這些LED該電(dian)路的基(ji)本功能是(shi)產生低(di)頻、快(kuai)速、大功率驅動電(dian)流脈沖信號,輸出脈沖的。
什么是工頻電流?工頻是什么意思?_工程_技術_科技_機械_天涯問答
2013年7月22日-1998年已有頻率1.3GHz,脈沖輸出功(gong)率400W的報道[;。2.2碳化硅功(gong)率雙極開發碳化硅BJT的主要(yao)問題是提高電流(liu)增益(yi)。早期6H-SiCBJT的電流(liu)增益(yi)只有10。
碳化硅微粉磨應用脈沖除塵器凈化環境效果好
脈(mo)沖袋(dai)式除塵器,分號機(ji),粉碎(sui)機(ji),氣(qi)流磨,青島精華PZ粉碎(sui)機(ji)的(de)(de)用(yong)途及適應(ying)范圍:化工(gong)等物科(ke)的(de)(de)粉碎(sui),尤其適用(yong)于碳(tan)化硅(gui)、剛玉、石(shi)英、烙煉石(shi)英、石(shi)餾石(shi)等物科(ke)的(de)(de)粉碎(sui)。
詳解大功率藍光LED光源驅動電路設計方案-中國LED網資訊
碳化硅(gui)顆粒化學鍍鎳對鐵基(ji)復(fu)合(he)(he)材料性能(neng)的影響(xiang)張躍波1,宗亞平1,曹(cao)新建1,張龍21.東北大學材料各向(xiang)異性與織構(gou)教育部(bu)實(shi)驗(yan)室沈陽1108192.金策工(gong)業(ye)綜合(he)(he)。