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SiC粉末化學鍍Cu工藝研究(3)_劍心_新浪博客

Cu復合粉(fen)體(ti)金相(xiang)顯微圖(tu),亮白(bai)色的為(wei)碳(tan)化(hua)硅顆粒,顆粒周圍的暗灰色層為(wei)包覆的銅層,從圖(tu)3.8和圖(tu)3.9可以看(kan)出:140目(mu)粉(fen)末鍍(du)覆質量相(xiang)對較高,墨綠色的SiC顆粒上。

pH值對碳化硅粉體表面鍍鎳的影響-《表面技術》2013年02期

摘要:對碳(tan)化(hua)硅表面進行(xing)化(hua)學鍍(du)(du)鎳,研究了鍍(du)(du)液的pH值對鍍(du)(du)速(su)、鍍(du)(du)層組(zu)織及形貌9丁莉莉;化(hua)學鍍(du)(du)法(fa)制(zhi)備Cu-Si復合粉體工藝研究[D];中(zhong)國海洋大學;2009年10。

碳化硅粉中含碳量測定方法的研究_百度文庫

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2008年(nian)10月22日-納米碳化硅粉體(ti)2009-10-2210:47性能特點本產品(pin)純度高(gao)、粒徑小、分布均勻,比表面(mian)積大、高(gao)表面(mian)活(huo)性,松裝密度低,具有極好(hao)的力學、熱學、電學和。

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報告(gao)導(dao)讀:本報告(gao)從國際超(chao)細碳化硅(gui)粉體發展(zhan)、國內超(chao)細碳化硅(gui)粉體政策(ce)環境及發展(zhan)、研發動態、進出口情況、生(sheng)產企業、存在的問題及對策(ce)等多方面多角度闡(chan)述了超(chao)細碳化硅(gui)。

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碳化硅粉(fen)(fen)體表面改性(xing)(xing)對分散性(xing)(xing)能的影響(xiang)研究蘇(su)小紅1,周波2,武七德2,吉曉莉(li)22.5鍶覆體系對SiC微粉(fen)(fen)分散穩定性(xing)(xing)能影響(xiang)機(ji)瑗掇據DLVO理論,siC粉(fen)(fen)體可以通過靜(jing)電。

2011-2016年中國超細碳化硅粉體行業當前現狀及未來趨勢發展預測報告

五金(jin)、工具(ju)磨料供應碳化(hua)硅微粉國標[詳細(xi)內容]1.工程陶(tao)瓷用(yong)微粉:1)噴嘴等高溫窯具(ju)微粉反(fan)應燒(shao)結粉:F240,F1200,W10,W14,W282)方梁等重結晶(jing)用(yong)粉:RR100。

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納米碳化硅,超(chao)細碳化硅粉通過特(te)殊工藝方法制備,具有純(chun)度(du)高,粒徑分布范(fan)圍小,高比表面(mian)積;納米碳化硅具有化學(xue)性能穩定,導熱(re)系數高(165W/M.K),熱(re)膨脹系數小,硬度(du)高,。

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[摘要]本發明涉及一種以酵母粉為造孔劑的碳(tan)化硅基(ji)體之基(ji)底的機械產品(pin),其(qi)外表面還具有一氧化鋁覆層。從(cong)而獲得高體積分數的SiCp/Cu復合材料(liao)。本發明能夠。

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玉慶,作明,劉敏,周本濂,師昌緒.碳纖維涂覆碳化硅的研究[j].復合

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摘要(yao):對碳化硅表(biao)面進行化學鍍(du)(du)鎳,研(yan)究了鍍(du)(du)液(ye)的(de)pH值對鍍(du)(du)速(su)、鍍(du)(du)層組織及形貌的(de)影(ying)響。結果表(biao)明:鍍(du)(du)液(ye)pH值低于8.5時,無反應發生,粉。

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為(wei)改(gai)善SiC與金屬的(de)結合(he)性,分別采用化學鍍法(fa)和非(fei)均相沉淀(dian)法(fa)制備Cu包裹SiC顆粒(li)復合(he)粉體(ti)。通(tong)過XRD衍射(she)分析得(de)(de)出(chu)以上兩種包裹方法(fa)都(dou)可(ke)以得(de)(de)到大部分包裹著Cu相的(de)SiC顆粒(li),。

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控制的一些主要方法(fa),綜述(shu)了目前幾種主要金(jin)屬粉(fen)(fen)末(mo)(Au,Ag,Pd,Pt,Cu,Fe,Co,Ni納(na)米(mi)碳化硅(gui)粉(fen)(fen)末(mo)納(na)米(mi)金(jin)屬顆粒納(na)米(mi)金(jin)剛石粉(fen)(fen)納(na)米(mi)細粉(fen)(fen)納(na)米(mi)鐵粉(fen)(fen)納(na)米(mi)銅粉(fen)(fen)納(na)米(mi)級。

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分(fen)析時間從24小時減到(dao)30min,但對Ca、Cr、Cu、Mg、Mn、Ti、V要克服方(fang)法(fa)的(de)1姚永生(sheng);;電感耦合等(deng)離(li)子體原子發射光譜法(fa)測(ce)定碳(tan)化硅(gui)中雜(za)質元素[J];冶(ye)金分(fen)析。

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3用(yong)天然高嶺土制(zhi)備碳化(hua)(hua)硅(gui)晶須/氧化(hua)(hua)鋁復合(he)陶瓷粉的g161200580024384.X覆銅、抑制(zhi)晶須生成(cheng)的方法、212200780014522.5晶須得到抑制(zhi)的Cu-Zn合(he)金耐熱(re)。

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746-BG28813一種氮(dan)化硅(gui)(gui)/碳化硅(gui)(gui)多(duo)孔陶瓷的制備方法(fa)747-BG28813激光熔覆制備801-BG28813納米ZrO2(Y2O3)/Cu復合(he)功(gong)能陶瓷材料的制備方法(fa)802-BG28813一種。

碳化硅粉末中雜質元素的測定-《上海金屬.有色分冊》1992年05期

50、銅包(bao)裹納(na)米碳(tan)化硅顆粒制備(bei)納(na)米復合粉體(ti)顆粒的方法8、Cu包(bao)裹SiC復合粉體(ti)工藝的研究9、Cu顆粒包(bao)覆(fu)納(na)米79、粉體(ti)的表面修飾(shi)與表面包(bao)覆(fu)方法的研究80、覆(fu)Co。

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