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電子封裝用AlN燒結工藝及機理-《南昌大學》2011年碩士論文

氮(dan)化鋁陶瓷常壓燒結致(zhi)密化抗水性自擴散(san)系(xi)數小,通常需要熱壓燒結才(cai)能制備出高致(zhi)密的氮(dan)化鋁陶瓷2.2實驗儀器設備和原料31-322.3實驗方法32-332.3。

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氮化鋁(lv)(lv)陶瓷(ci)導熱(re)性能良好,是(shi)集成電(dian)路(lu)基板和(he)電(dian)子(zi)封(feng)裝(zhuang)的(de)理(li)想材料。但氮化鋁(lv)(lv)為強共(gong)價鍵結(jie)合物,熔(rong)點高(gao),自(zi)擴散系(xi)數(shu)小,通(tong)常(chang)需要熱(re)壓(ya)燒結(jie)才(cai)能制(zhi)備(bei)出高(gao)致密的(de)氮化鋁(lv)(lv)陶瓷(ci)。并且(qie)。

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氮(dan)化鋁(AlN)燒(shao)結(jie)爐溫度均(jun)勻(yun)性(xing)批量生產(chan)《電子工業專用(yong)設備(bei)》2010年(nian)06期加入收藏投稿氮(dan)化鋁尤其是在氮(dan)化鋁陶瓷(ci)批量生產(chan)過程中(zhong),陶瓷(ci)燒(shao)結(jie)爐的溫度不均(jun)勻(yun)。

電子封裝用AlN燒結工藝及機理

但近幾年(nian)國(guo)際上很多國(guo)家在(zai)重視AlN基片材料研(yan)發(fa)工作的同時,對氮(dan)化(hua)鋁陶(tao)瓷(ci)燒(shao)結(jie)爐的制備也越來(lai)越重視,由(you)此(ci)孕(yun)育(yu)出一(yi)些(xie)專業的氮(dan)化(hua)鋁陶(tao)瓷(ci)燒(shao)結(jie)設(she)備制造商,尤其(qi)是美國(guo)和日本。

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本(ben)文通過(guo)使用Y2O3、Li2CO3、Dy2O3、CaF2、CaO作為添加(jia)劑,研究不同添加(jia)劑對(dui)注射成(cheng)型(xing)低(di)溫燒(shao)結(jie)AlN提高(gao)致密(mi)度和(he)熱(re)導率的(de)作用。實驗結(jie)果表明,使用Li2CO3,CaF2和(he)Y2O3。

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采用微(wei)波(bo)高溫燒結(jie)工藝,制備了(le)致密的(de)AlN陶(tao)(tao)(tao)瓷(ci),并初步(bu)探討了(le)微(wei)波(bo)燒成環境對燒結(jie)體燒結(jie)陶(tao)(tao)(tao)瓷(ci)加工陶(tao)(tao)(tao)瓷(ci)相陶(tao)(tao)(tao)瓷(ci)量塊陶(tao)(tao)(tao)瓷(ci)英語陶(tao)(tao)(tao)瓷(ci)機(ji)械陶(tao)(tao)(tao)瓷(ci)件陶(tao)(tao)(tao)瓷(ci)帽陶(tao)(tao)(tao)瓷(ci)設備。

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氮(dan)化鋁燒(shao)結(jie)級AlN-010-A1S產品AlN-010-A1S氮(dan)化鋁粉體經過成型燒(shao)結(jie)程(cheng)序制成:用於射(she)頻IC、高功率IC、LED晶(jing)片載板(ban)(ban),高導熱(re)電子(zi)基板(ban)(ban),LED路(lu)燈(deng)熱(re)電燈(deng)板(ban)(ban),高導熱(re)共燒(shao)陶瓷。

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微波燒(shao)結設備主要(yao)應用(yong)于燒(shao)結各種高品質的陶瓷(ci)、氮化(hua)硅、碳化(hua)硅、氧化(hua)鋁、氮化(hua)鋁、氧化(hua)鋯等;燒(shao)結電子(zi)陶瓷(ci)器件:PZT壓電陶瓷(ci)、壓敏電阻(zu)等。所謂微波燒(shao)結或微波燃燒(shao)合(he)成。

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產(chan)品(pin)(pin)規格:氮化鋁燒結爐產(chan)品(pin)(pin)數量:0.00包(bao)裝說明:價格說明:面(mian)議美(mei)國(guo)ANT公司提供的(de)設備具有全自動、閉(bi)環控制的(de)特點(dian),保證產(chan)品(pin)(pin)的(de)成品(pin)(pin)率和(he)一致性(xing)。

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供應(ying):燒結(jie)氮化(hua)鋁(工藝技術資(zi)料配方圖紙參(can)數(shu))光(guang)盤當前(qian)價格:200.00元1-BG52096含碳的氮化(hua)鋁燒結(jie)體以及用于半導體制造檢測設備的陶瓷(ci)基材2-BG。

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一(yi)種氮化鋁陶(tao)瓷的低溫(wen)燒結,包括氮化鋁起始(shi)粉料選(xuan)擇,添加物的選(xuan)擇以(yi)及燒結工(gong)藝參(can)數的選(xuan)擇。其特征(zheng)在于(yu):(1)以(yi)碳熱還原法(fa)及高(gao)溫(wen)自蔓延合成(cheng)法(fa)制備的AlN粉體為起始(shi)。

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微波燒結設備紙箱刀(dao)(dao)具綠碳(tan)化(hua)(hua)硅砂倒角刀(dao)(dao)具優質刀(dao)(dao)具泰珂洛刀(dao)(dao)具導熱(re)/導熱(re)粉(fen)/氮化(hua)(hua)鋁(lv)(lv)/氮化(hua)(hua)鋁(lv)(lv)粉(fen)導熱(re)/導熱(re)粉(fen)/氮化(hua)(hua)鋁(lv)(lv)/氮化(hua)(hua)鋁(lv)(lv)粉(fen)填充/填充劑/。

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本發明目(mu)的是提供(gong)一(yi)種能保持10#+〔8〕Ω.cm或(huo)更大(da)的體(ti)積電(dian)阻率(lv)的氮化鋁燒結體(ti),能保證覆蓋能力,大(da)的輻射熱量和用(yong)溫(wen)度顯示(shi)器測(ce)定時(shi)的準確度。本發明的含碳(tan)氮化。

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一(yi)種氮(dan)化鋁燒(shao)結體,其特征(zheng)在于包含1-10%(重量(liang))從周期(qi)表Ⅲa族元素、Ca、Sr、Ba中選擇(ze)的少。

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華(hua)順系列陶(tao)瓷覆銅板(ban)(氮化鋁(lv)、氧化鋁(lv)、氮化硅)燒(shao)結爐廣泛應用於(wu)陶(tao)瓷覆銅板(ban)(DBC0在(zai)保護氣氛中(zhong)的鍵(jian)合、熱處理等工序。設備針對陶(tao)瓷復(fu)合的特殊工藝(yi)特點設計了專有的。

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[圖文]3.2.5高(gao)壓設(she)備(bei)的高(gao)精(jing)度(du)控(kong)制(zhi)系(xi)統3.2.6腔體介(jie)質材料的選(xuan)擇3.2.7加熱源石墨(mo)3.3高(gao)壓燒結腔體設(she)計3.4高(gao)壓燒結AlN陶(tao)瓷制(zhi)備(bei)工(gong)藝流程3.4.1高(gao)壓燒結AlN。

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論(lun)文天下提供的(de)<AlN粉末的(de)制備、低(di)溫(wen)燒結(jie)及其注(zhu)射成形技(ji)術(shu)的(de)研究;論(lun)文包括氮化鋁陶瓷(ci)材料注(zhu)射成形低(di)溫(wen)燒結(jie)復合(he)陶瓷(ci)制備低(di)溫(wen)燒結(jie)注(zhu)射等其他相關內(nei)容論(lun)文。

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本發明提供(gong)一種高純度氮化(hua)鋁燒(shao)(shao)結(jie)體,其在氮化(hua)鋁燒(shao)(shao)結(jie)體制造時(shi),有效地除去原料粉(fen)末中所含(han)的氧(yang)化(hua)物(wu),且通(tong)過原料粉(fen)末中所含(han)的氧(yang)化(hua)物(wu)與燒(shao)(shao)結(jie)助(zhu)劑(ji)反應來防止(zhi)生(sheng)成的復合氧(yang)化(hua)。

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3.2.5高(gao)(gao)壓設備的高(gao)(gao)精(jing)度控制系統3.2.6腔(qiang)體介質材料(liao)的選擇(ze)3.2.7加熱源石墨3.3高(gao)(gao)壓燒(shao)(shao)結腔(qiang)體設計3.4高(gao)(gao)壓燒(shao)(shao)結AlN陶瓷制備工藝流程3.4.1高(gao)(gao)壓燒(shao)(shao)結AlN。

氮化鋁陶瓷:亞馬遜:圖書

熱壓燒結AlN陶瓷,以自蔓延高溫合(he)成(cheng)(SHS)的AlN粉體為原料,以Y2O3-B2O3-CaF2和YF3-B-CaF2系為燒結助(zhu)劑(ji),采(cai)用(yong)熱壓燒結工藝制(zhi)備AlN陶瓷。結果表明,采(cai)用(yong)燒結助(zhu)劑(ji),在。

AlN粉末的制備低溫燒結及其注射成形技術的研究-收費碩士博士

本論(lun)文探(tan)索(suo)了(le)AlN陶瓷(ci)的(de)(de)燒結技(ji)(ji)術,利用本實驗(yan)室(shi)原位合(he)成技(ji)(ji)術合(he)成的(de)(de)AlN粉末制備出了(le)高致密(mi),高導熱的(de)(de)AlN陶瓷(ci)。研究了(le)AlN陶瓷(ci)的(de)(de)常壓(ya)燒結技(ji)(ji)術。通過熱力學條件(jian)和相圖的(de)(de)。

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41、含碳的氮(dan)化鋁(lv)燒結(jie)體以及用于半導體制造檢測設備的陶瓷(ci)基材收錄氮(dan)化鋁(lv)陶瓷(ci)相關期刊文(wen)獻(xian)151項1、海門(men)建(jian)成氮(dan)化硅(gui)陶瓷(ci)基地2、高壓氮(dan)氣中自蔓延燃燒合成氮(dan)化鋁(lv)。

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32CN00809591.4半導(dao)體加(jia)工設備(bei)的防腐(fu)組件及其制造方法33CN02106821.6用于(yu)半導(dao)體和功率模件的絕緣襯底板34CN02115663.8放電等離子(zi)燒結(jie)法制備(bei)氮化鋁透明(ming)陶瓷35。

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