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高頻感應熱等離子體在微細球形粉體材料制備中的應用-《高電壓

高頻(pin)感(gan)應(ying)熱等(deng)離子(zi)體(ti)微細粉體(ti)球化材料粒徑摘要(yao):高頻(pin)感(gan)應(ying)熱等(deng)離子(zi)體(ti)在粉體(ti)球化領域中具有獨特(te)展示了部分自制的關鍵設(she)備(bei),其中送粉器可以實(shi)現原料粒。

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30KW高頻等離子體感應加熱設備及等離子體發生器--中國科學院

30KW高頻等(deng)離子體感應(ying)加熱設備(bei)及等(deng)離子體發生器獲獎名稱英文:30KWHighFrequencyPlasmaInducedHeaterandPlasmaGenerator授(shou)獎部門:中國(guo)科學(xue)院。

用于高頻等離子體發生器的高頻電源-《微細加工技術》1985年01期

高頻電源高頻等(deng)離子體匹配網(wang)絡(luo)等(deng)離子體發(fa)生器負(fu)偏壓諧振阻抗(kang)輸出功率板(ban)極阻抗(kang)匹配駐波(bo)比。

高頻感應耦合熱等離子體發生器的完整的二維數值模擬-《中國科學(

摘要:迄(qi)今(jin)為止,所有有關(guan)高頻感應耦合(he)熱(re)等離子體發(fa)生器的(de)數值模擬(ni)均以一維電(dian)(dian)磁(ci)場為基礎。本文(wen)提出(chu)了(le)包括(kuo)二維電(dian)(dian)磁(ci)場的(de)完整(zheng)而(er)又自洽(qia)的(de)二維數值模擬(ni)方法。典型的(de)數值。

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高頻(pin)等(deng)(deng)離子體(ti)發生器(qi)radio-frequencyplasmatorch等(deng)(deng)離子體(ti)是電(dian)離的氣態(tai)物質,是離子體(ti)。例如不是H2而是H++e。分(fen)類通常(chang)等(deng)(deng)離子體(ti)發生器(qi)可分(fen)為兩類:(1)高頻(pin)。

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電感耦合高頻(pin)(pin)等(deng)離(li)子(zi)體光(guang)(guang)源電感耦合高頻(pin)(pin)等(deng)離(li)子(zi)光(guang)(guang)源(ICP)是本世紀60年代出現的(de)(de)一種(zhong)新型的(de)(de)光(guang)(guang)譜激發光(guang)(guang)源。等(deng)離(li)子(zi)。

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[圖文]電感耦合(he)高頻等離子體(ti)(ICP)是(shi)二(er)十世紀60年代提出,70年代獲得(de)迅速發展(zhan)的一種新型但它的霧化效率較低,設備貴(gui)。等離子體(ti)光源除電感耦合(he)高頻等離子體(ti)外(wai),還(huan)有直流。

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高頻熱等(deng)(deng)(deng)離子發生器所(suo)產生的溫度約1000K的熱等(deng)(deng)(deng)離子體,已廣泛(fan)用于高技(ji)術陶瓷(ci)、超導體與金剛石粉或膜的制備等(deng)(deng)(deng)許多(duo)方面(mian),高頻等(deng)(deng)(deng)離子體發生器中(zhong)電離氣體的流動與傳(chuan)熱和(he)。

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1.3.1.4高頻感應加熱法(fa)161.3.1.5等離(li)子體(ti)法(fa)16-171.3.1.67朱協彬;段(duan)學臣;;超聲電解法(fa)制(zhi)備納米銅粉[A];2003年全國粉體(ti)設(she)備—技術(shu)—。

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電感耦(ou)合(he)高頻放電等離子體(ti)特性測試,楊孝龍黃(huang)運添;-西北(bei)大(da)學(xue)學(xue)報(自然科學(xue)版)1998年第04期在線閱(yue)讀(du)、文章(zhang)下載。<正(zheng);Langmuir探針是(shi)等離子體(ti)診斷中常用的工具(ju)之。

高頻熱等離子體發生器的自洽模擬

本發明涉(she)及一(yi)種采用高(gao)(gao)(gao)(gao)頻等離(li)(li)(li)子(zi)體制備(bei)高(gao)(gao)(gao)(gao)純超細硼化鋯粉體的(de)方法。高(gao)(gao)(gao)(gao)頻等離(li)(li)(li)子(zi)體弧提(ti)供的(de)超高(gao)(gao)(gao)(gao)溫(wen)(wen)熱(re)源為合成反(fan)應提(ti)供了足夠高(gao)(gao)(gao)(gao)的(de)溫(wen)(wen)度和能量,高(gao)(gao)(gao)(gao)頻等離(li)(li)(li)子(zi)體無電極加熱(re)特(te)性保證。

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3.4.8電(dian)位分布和高(gao)頻鞘3.4.9等離(li)子(zi)(zi)(zi)(zi)體(ti)(ti)電(dian)位3.5微波(bo)放電(dian)等離(li)子(zi)(zi)(zi)(zi)體(ti)(ti)簡介3.5.1微波(bo)等離(li)子(zi)(zi)(zi)(zi)體(ti)(ti)的(de)發生方(fang)法(fa)3.5.2電(dian)子(zi)(zi)(zi)(zi)回旋共振等離(li)子(zi)(zi)(zi)(zi)體(ti)(ti)源(yuan)3.5.3微波(bo)等離(li)子(zi)(zi)(zi)(zi)體(ti)(ti)的(de)。

高頻感應加熱設備及高頻等離子體設備高頻預熱設備調研報告_2013-

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中國制造網高頻(pin)等離子(zi)體質譜(pu)儀(yi)行(xing)業分析(xi)報告細分行(xing)業報告,對(dui)高頻(pin)等離子(zi)體質譜(pu)儀(yi)行(xing)業分析(xi)報告行(xing)業的(de)發展狀況(kuang),供需狀況(kuang),出(chu)口趨勢,行(xing)業數(shu)據等進行(xing)了深入全(quan)面的(de)研究和分析(xi)。

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2011年12月20日(ri)-電感耦合(he)高頻等離子體原子發射(she)光譜法(ICP-AES)特點發稿(gao)時間:2012-12-2019:04:12作者:主題詞:。

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2006年3月17日-項目名稱(cheng):高(gao)頻(pin)等離子體放(fang)電無極(ji)(ji)燈(deng)生(sheng)產項目項目背(bei)景:高(gao)頻(pin)等離子體放(fang)電無極(ji)(ji)燈(deng),簡稱(cheng)高(gao)頻(pin)無極(ji)(ji)燈(deng)。是(shi)由中國(guo)科學院光學和精密儀器研究所(suo)綜(zong)合(he)應用功率。

高頻等離子體質譜儀行業分析報告細分行業報告–中國制造網

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電感耦合高頻等離子體-《蘇州大學》2008年碩士論文

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